光刻技术分类及应用（光刻技术的应用）

光刻技术加工科普

光刻过程的典型步骤是匀胶，盖上掩模板，光刻，显影，制备℡☎联系：米级或纳米级的图形。

目前光刻图形化使用的掩模版常为均胶铬板，即在高洁净度、平整度的玻璃(苏打玻璃或石英玻璃)上镀铬金术，覆盖一层防反射物质(Anti-Reflective，AR)，最后涂一层感光胶制备而成。

光刻胶也叫光阻聚合物，像胶水一样粘稠。和相机的底片感光一样，在受到照射后会发生变化，非化学放大型光刻胶分为正胶、负胶以及双型胶

光刻系统常分为接触式、透射投影式和反射投影式。

以负胶为例，在进行光刻时，被曝光的光刻会胶形成不溶于显影液的交联聚合物，未被曝光的部分会被显影液分解掉。

为波长，s为光学掩模和光刻胶的距离，Z为光刻胶厚度，NA为数值孔径，k为与实际相关的系数，在0.5~1.0间，一般为0.8

光源采用波长短的紫外光

光刻技术

一种将掩膜版的图形转移到衬底表面的图形复制技术，光刻得到的图形一般作为后续工艺的掩膜。

（光致刻蚀剂）是由高分子聚合物、增感剂、溶剂以及其他添加剂组成的混合物，在一定波长的光照射下，高分子聚合物的结构会发生改变。

正胶显影液：碱金属水溶液，如NaOH/NH4OH/TMAH

负胶显影液：有机溶剂，如二甲苯等

氧化层上的正胶：硫酸：双氧水=3:1

金属上的正胶：有机溶剂，如丙酮

氧化层上的负胶：硫酸：双氧水=3:1

金属上的负胶：氯化物溶剂

变性的光刻胶（如作为注入或刻蚀掩膜的光刻胶层）：氧等离子体

0.粘附性处理：硅片暴露在六甲基二硅胺烷HMDS蒸汽中，增加光刻胶与硅片的粘附强度

1.匀胶：硅片真空吸附在离心式匀胶机上高速旋转，把滴在硅片表面的光刻胶涂覆均匀

2.前烘：加热蒸发光刻胶部分溶剂，使光刻胶层初步固化

3.对准和曝光：转移图形

4.显影：把硅片放在显影液中溶解去掉正胶光照部分或者负胶非光照部分

5.后烘：加热硅片使光刻胶中的溶剂进一步蒸发，提高掩膜效果

光刻技术的原理是什么？

光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。

光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1℡☎联系：米线，即光刻的分辨线宽为1℡☎联系：米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1℡☎联系：米的℡☎联系：细布线，使光刻技术达到新的水平。

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