中国何时能突破光刻机（中国有望越过光刻机）
中国何时能突破光刻机（中国有望越过光刻机）
2030年实现1.5nm光刻。
随着芯片制程越来越小，技术难度越来越高，摩尔定律放缓，台积电表示2024年可能实现量产2nm，1nm目前未知，而ASML的第二代EUV系统预期2024年问世，2030年实现1.5nm光刻。这对于中国而言是一个非常好的机会，我们国家目前想要在2030年的时候实现EUV光刻机国产化。
光刻机封锁是连技术带产品的封锁，而且是层层的封锁，目前为止一共有三道。我国在21世纪的前二十年里已经接连突破了两道封锁线，形成了前所未有的自主攻势，毫无疑问，我国在什么时候突破第三道封锁线，决定权就在我们国内光刻机企业的手里；国外在什么时候解除第三道封锁线，主动权也在我们国内光刻机企业的手里，而到了突破或者解除的那个时候，我国光刻机大概率只会是达到世界先进水平的，还没能达到世界领先水平，即不是世界顶级的光刻机，却能以前所未有的高速度，接着突破国外又设置的第四道封锁线，向世界顶级发起冲锋。
低端和中端光刻机的封锁已经被解除了。两道封锁线都已经荡然无存了，美国和荷兰像是自动解除、提前解除封锁的，近年来让ASML连DUV中端光刻机都卖给我们国内企业那么多台了，是在我国光刻机企业还没有宣布国产中端光刻机下线消息的情况下。
看来，是由于知道我国光刻机企业已经突破了中端技术，并且已经转化为了中端产品，只是还停留在生产线上，待突破、能突破技术难关，而在下线后，对中端技术的封锁也就不解自除了。由此可知，我国光刻机企业是打破封锁的决定者，主要依靠的是自己对相关技术的突破，而美国和荷兰解除封锁则是被动的，不得不自动解除，而且只剩下供应产品这 1 个持续不了多长时间的选择了，相关技术的输入不再被需要。
我国光刻机企业基本突破高端光刻机技术并推出将很快下线的高端光刻机产品，会在未来的八年十年那时，在此之前的二三年里，美国和荷兰就会解除对高端光刻机产品的封锁。我国待突破的封锁线是第三道，是目前为止的最后一道，即对目前为止属于世界领先水平的高端光刻机技术和产品的封锁。
现在和在将来的一个时期内，我国企业买不来EUV光刻机产品，我国的光刻机企业更买不来EUV技术，这是由于美国和荷兰知道我国光刻机企业一时半会儿还不能突破相关的技术，技术转化为高端零部件直至整机的时间则是更长的，而现在不卖给EUV光刻机产品，就会让我国光刻机企业突破技术和作出产品的时间再长一些，
从而让我国需要EUV光刻机和需要高端代工、需要高端芯片的企业分别发展得慢一些、更慢一些；也是因为同时知道我国光刻机企业最终必定能够突破和作出高端光刻机的技术和产品，但心里已经习惯性地做好了在突破后、作出前再卖给产品的打算。美国和荷兰的等待是主动的，宁肯让ASML挣不到我国的钱，虽然听说ASML已经迫不及待了，而到时候让卖给产品却是被动的，无奈之下做出的唯一选择。
未来可期。国内半导体企业的整体实力还是不错的，目前对于芯片制造过程中最主要的设备光刻机，上海℡☎联系：电子已经取得了突破，首台国产的28nm沉浸式光刻机机也即将迎来组装下线，中℡☎联系：半导体在刻蚀机领域也取得了重大成就，外加上此次中电科突破的离子注入机技术，国产自主产业链也得到了进一步的完善。
