光刻胶消息(光刻胶行情结束了)

2022-12-04 23:49:52 股票 yurongpawn

可用于7nm芯片光刻胶通过客户验证,南大光电巨量收涨8%

观察者网·大橘 财经 讯(文/吕栋 编辑/尹哲)在集成电路制造领域,光刻机被称为是推动制程技术进步的“引擎”,而光刻胶就是“燃料”。

未来几年,随着中芯国际、长江存储、长鑫存储等晶圆厂进入产能扩张期,高端光刻胶的国产化替代迎来重要窗口。

12月17日晚间,南大光电公告披露,其控股子公司宁波南大光电材料有限公司(下称:宁波南大光电)自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户使用认证,可用于90nm-14nm甚至7nm技术节点。

“本次产品的认证通过,标志着‘ArF光刻胶产品开发和产业化’项目取得关键性的突破,成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶,为全面完成项目目标奠定坚实的基础。”公告中写道。

南大光电内部人士今天在接受观察者网采访时透露,ArF光刻胶生产线已建成,可根据客户需要量产。

受上述消息影响,创业板上市的南大光电今天高开近14%,最终收涨8%。

不过,需要注意的是,截至今年上半年,光刻胶业务还未给南大光电贡献营收。该公司坦言,ArF光刻胶存在稳定量产周期长、风险大等特点,后续是否能取得下游客户订单存在较多不确定性。

最近三年,南大光电净利润增速骤降,2019年扣非净利润仅为上市前的五分之一。

公告截图

量产阶段仍存诸多风险

观察者网梳理相关资料发现,光刻胶是一种对光敏感的混合液体,可以通过光化学反应,经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上。

依据使用场景,待加工基片可以是集成电路材料、显示面板材料或者印刷电路板(PCB)。

因此,按应用领域分类,光刻胶又可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。目前,国产光刻胶以PCB用光刻胶为主,显示面板、半导体用光刻胶供应量占比极低。

浙商证券2020年4月研报截图

作为技术难度最大的光刻胶品种,半导体光刻胶也是国产与国际先进水平差距最大的一类。

长时间以来,为满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求,光刻机不断通过缩短曝光波长的方式,提高极限分辨率。

目前,光刻机光源波长由紫外宽谱逐步缩短至g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、 ArF(193nm)、F2(157nm),以及最先进的EUV(

本次南大光电通过客户认证的光刻胶,就是ArF光刻胶。

国元证券2019年1月研报截图

南大光电表示,ArF光刻胶材料可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺,广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、 AI芯片、5G芯片、大容量存储器和云计算芯片等)。

认证评估报告显示,“本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证,宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求,良率结果达标。”

南大光电认为,本次通过客户认证的产业化意义大。

“本次验证使用的50nm闪存技术平台,在特征尺寸上,线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求,孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求,该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。”公告中称。

至于为何选在50nm闪存产线验证, 南大光电内部人士向观察者网表示 ,该公司产品分别在不同客户处验证,有逻辑有存储的。因为存储的先通过,就先公告,其他的还在努力中。

不过,该人士并未向观察者网透露,公告中的客户是国内或者国外厂商。

IC光刻流程图

目前,全球光刻胶市场基本被美日大型企业垄断,中国大陆内资企业所占市场份额不足10%。

2019年,日韩贸易争端中,日本就曾通过禁运光刻胶对整个韩国半导体行业造成打击。

为支持国内企业加大光刻胶开发力度,2000年以来,我国出台多项政策支持半导体行业发展。

2006年,国务院在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中提出《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目,因次序排在所列16个重大专项第二位,在业内被称为“02专项”。

公告显示,“ArF光刻胶产品开发和产业化”就是南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目。

券商统计的信息显示,南大光电2017年承接的ArF光刻胶项目总投资额为6.6亿元,其中国拨资金1.9亿元,地方配套资金1.97亿元,使用上市时的超募资金1.5亿元及其他自筹资金。

该项目拟通过3年达到年产25吨ArF干式和浸没式光刻胶产品的生产规模,预计达产后年销售收入平均为1.48亿元,实现净利润0.6亿元,投资回收期6.8年(包含3年建设期),内部报酬率为18%。

截至今年上半年,光刻胶业务尚未给南大光电贡献营收。

该公司在公告中表示,ArF光刻胶产品与客户的产品销售与服务协议尚在协商之中。

“尤其是ArF光刻胶的复杂性决定其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险,不仅需要技术攻关,还需要在应用中进行工艺的改进、完善,这些都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益。”

深交所互动易截图

最近三年净利润增速骤降

在ArF光刻胶贡献收入前,南大光电营收来源主要包括MO源产品和特气产品。

2020年半年报介绍,MO源系列产品是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料,在半导体照明、信息通讯、航空航天等领域有极其重要的作用。

而电子特气是“集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、LED、太阳能电池、光纤等电子工业生产中必不可少的基础和支撑性材料”。

今年5月,南大光电董事长兼总经理冯剑松在业绩说明会上称,该公司将力争实现“MO源全球第一,电子特气国内一流,193nm光刻胶成功产业化”。

上半年,南大光电特种气体业务营收1.88亿元,同比增长274.15%;MO源产品实现营收0.68亿元,同比下滑23.55%;两项业务占比分别为 71.73% 、25.82%。

事实上,最近几年,南大光电特种气体业务持续增长。2017-2019年分别贡献0.36亿、0.78亿、1.64亿元的收入,营收占比也从20.16%增长至51.82%。

与此同时,该公司的MO源业务并不太稳定,2018年产量和销量均创 历史 最好水平后,2019年该业务销售收入下滑2.87%。

2017年以来,南大光电整体营收呈增长态势,从1.77亿元增长至2019年的3.21亿元,净利润从3384万元增长至5501万元,但净利润增速从348%骤降至7.36%。

“i问财”截图

扣除非经常性损益后,南大光电2017年-2019年的净利润分别为0.2亿元、0.37亿元、0.368亿元。而登陆创业板之前的2011年,该公司还实现扣非净利润1.76亿元,是去年扣非净利的近5倍。

同期,南大光电研发投入分别为3844万元、3735万元、6585万元,占营收的比重分别为21.69%、16.37%、20.49%,占净利润比重分别为114%、73%、120%。

今年前三季度,南大光电营收大幅增长96.15%,归母净利润增长97%,但主要是出售北京科华股权等带来的非经常性损益大幅增加。

当季,该公司扣非后净利润下滑84.84%,该公司称主要是摊销股权激励成本、研发费用投入及奖金计提增加所致;经营活动产生的现金流量净额同比下滑189.52%,主要是政府补助款较上年减少及本期拨付前期收到的项目经费给联合单位所致。

三季度财报截图

本文系观察者网独家稿件,未经授权,不得转载。

7nm芯片迎来突破!国产半导体逆势崛起,打破日美垄断

一直以来,半导体行业都是国内产业生产的薄弱之处,很多技术都依赖于外企。

像EUV光刻机、芯片核心制造技术以及高端光刻胶等方面,但同样我们在芯片设计、封测技术等方面也占据了世界前列的位置。

如今,随着局势的变化,华为因芯片断供产生的后续影响已经初步显现,它让国产其他相关企业认识到只有自己掌握了核心技术才能避免在这些方面受到技术上的"卡脖子"。

11月13日,根据新浪 财经 最新报道,国内光刻胶领域迎来好消息,对于国内7nm芯片制造或可迎来重大突破。消息显示,国内宁波南大光电材料有限公司已正式宣布,首条ArF光刻胶生产线已经正式投入生产,预计项目完成后年销售额达10亿元。

目前该公司已经将生产出来的ArF光刻胶样品送至客户手中进行测试,如果测试成功,那么该公司将迎来更多ArF光刻胶方面的订单。

或许有小伙伴不太了解ArF光刻胶。

光刻胶在芯片生产中起到很关键的作用,可以说它是集成电路产生制造中的核心材料,对于芯片最终呈现的质量和性能方面都有很大的影响,因而光刻胶的成功对于生产制造芯片也有很大的帮助。

目前来说,虽然国内不乏有主营光刻胶的企业,但在ArF光刻胶这样的高端种类却几乎***依赖于外企,而ArF光刻胶在对于28nm-7nm工艺芯片的生产起到至关重要的作用,因而可以说这一次在ArF光刻胶上的突破也预示着在7nm芯片制造上迎来突破!

根据资料显示,目前高端光刻胶主要集中于美企和日企手中,所占份额达全球光刻机份额的95%,而这一次宁波南大光电材料有限公司在ArF高端光刻胶中的突破也预示着国产半导体的逆势崛起,将打破美日企业在高端光刻胶领域上的垄断。

不过,想要避免外资企业在技术上的垄断,光靠一家公司明显后劲不足,但就如今的发展趋势来说,目前国产半导体相关企业已经纷纷在各自的领域中寻找突破之路。

上海微电子、上海华虹半导体、晶瑞股份等公司在芯片生产工艺上以及光刻机上等方面寻求突破口,照这样的趋势发展,未来国产半导体行业将迎来新生!

关勃:还是光刻胶!凭什么?乘胜追击光刻胶低位精选名单(附股)

关勃:全球半导体产业链自诞生至今共发生了3次较大规模的转移,分别是战后由美国到日本的转移;上世纪80年代后由美日到韩国、中国台湾地区的转移;以及2015年至今仍在进行的从全球至中国大陆的转移。

以日为鉴,当前我国光刻胶适逢机遇:

综合来看,国内光刻胶企业乘着半导体产业链国产化的大趋势,与国内晶圆厂开展紧密合作,逐步追赶和突破与国内IC制造工艺相匹配的光刻胶,绕开海外专利实现批量供应,为企业带来稳定的现金流,同时提前布局国内晶圆厂的下一代工艺,形成半导体工业正常的技术迭代节奏。

在这样的大背景之下,市场憧憬我国的光刻胶也可以弯道超车,股市中的光刻胶品种,除开头的公司, 江化微、广信材料、福晶 科技 也能迎难而上,填补国内空白。

6 月 4 日-《乘胜追击光刻胶低位精选名单》

(附精选组合名单)

近日,南大光电在互动平台表示,公司研发生产的 ArF 光刻胶已经走向客户测试阶段,其在 7nm 工艺上的应用,进一步证明国内的ArF 光刻胶技术取得了重要突破。

关于光刻胶,我们在前期的节目中也有所涉及,近期受益于相关利好消息持续走强,相关核心标的涨幅喜人,似有带领市场上攻的势头,持续性更是强于其它。

但是,错过了低位上车机会,接下来机会又该如何把握?

不得不说,我国在半导体技术上的新突破,进一步缩短我国与国外的差距,也是我国转向自主自控阶段的开始,半导体国产替代步伐加速。

从市场角度来看,光刻胶产业发展潜力巨大,尤其是国内市场。根据智研咨询数据显示,2019 年全球光刻胶市场规模达 90 亿美元,预计 2022 年将有望超过 100 亿美元。

从全球市场规模来看,中国光刻胶市场只占全球的 10%,发展空间巨大,本土光刻胶市场也迎来发展机遇。当前疫情影响全球供应链,本土沪硅产业大涨 800%,和硅片相辅相成的光刻胶应当具有上行空间;同时,中芯国际、长江存储等芯片代工厂投产也进入高峰期,未来持续的高需求也是发展的重要保障。

强力新材(300429)

公司是光刻胶光引发剂领域中的知名企业。目前光引发剂年产能超过 1300 吨,并且有 12000 吨新生产线正在建设中,是目前产能的 9 倍以上。

在 2019 年,公司 PCB 光刻胶光引发剂销量同比增 23%至 1187吨,LCD 光刻胶光引发剂实现销量 76 吨,同比增 4%,其他用途光引发剂销量 4726 吨,同比增 21%。

一季报股东人数大幅减少 14.8%,融资买入余额近一个月增加30%以上,华泰证券维持“增持”评级。

技术上来说,日线级别太极线趋势线呈现红色,股价回踩太极线趋势企稳,资金流入明显,后市有望延续上行波段。

广信材料(300537)

公司正在推进开发印刷电路板柔性基板用等用途的紫外光型正型光刻胶;公司于 2018 年 11 月与台湾广至新材料合作研发光刻胶项目,研发目标是 PCB 用光刻胶分辨率为 25μm,6 代线以下平面显示面板用光刻胶的分辨率为 3μm,半导体封装用光刻胶的分辨率为15μm。

第一批产品已经取得研发成果,并开始着手技术转移与第二批产品的研发工作。光刻胶的研发与销售拓展了公司的业务领域,丰富了公司的产品线,巩固龙头地位。光大证券维持“增持”评级。技术上来看;60 分钟放量突破蓄势平台,回抽平台企稳,整体趋势上行比较强势,后市有望延续上行一笔。

参考资料:

2020/04/28-华泰证券-强力新材-年报业绩微增,疫情致 Q1 业绩下滑

2020/05/12-光大证券-广信材料-新冠疫情拖累业绩,光刻胶项目稳步推进

本文由北京中和应泰财务顾问有限公司上海分公司 投资顾问 关勃(执业编号:A0150614050001)编辑整理。内容仅供教学参考,不构成投资建议。股市有风险,投资需谨慎。

国产光刻胶成功突破,粉碎日本垄断梦

近日,半导体领域迎来重磅消息,南大光电的ArF光刻胶取得突破,国产光刻胶终于来了!

南大光电光刻胶突破

早在5月30日,南大光电就已经发布公告称,公司自主研发的ArF光刻胶产品通过客户认证,具备55nm工艺要求。

7月2日,有报道称,南大光电的ArF光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。

这都在表明,国产光刻胶终于不再受制于人,而是实现国产化了。

芯片在制造过程中,除了硅这种主要材料之外,一些辅助材料也至关重要,其中有一种名为光刻胶的材料,在芯片制造过程中必不可少,然而,这个材料却长期被日本垄断,中国也在这方面一直被卡脖子。

而最近传出的一个消息,对我国半导体的发展非常不利,日本对中国供应的光刻胶出现了“断供”的现象。美国召开G7峰会后,日本宣布光刻胶断供中国,日本信越化学等光刻胶企业开始限制供应ArF光刻胶产品。

断供光刻胶,对半导体行业的人而言并不陌生,2019年日韩贸易冲突白热化,日本就断供了光刻胶,导致当时全球最大的芯片厂商三星陷入了困境之中。

虽然韩国积极向日本低头求和并开展自救,但芯片生产依然受到巨大影响,间接推动了2020年的芯片短缺。

巧妇难为无米之炊,没有了光刻胶,对于中国的晶圆厂而言是巨大的打击,芯片生产将被迫停止!

好在,光刻胶的国产化进程并不慢,日企断供短短半年时间,南大光电就已经将国产光刻胶投入市场中了。

南大光电,成立于2000年12月,是以南京大学国家863计划研究成果作为技术支持的中国高纯金属有机化合物MO源的产业化基地。

1986年,863计划启动,在高济宇院士的支持和指导下,学者孙祥祯牵头进行MO源的技术攻关。MO源是一种禁运物资,更是生产化合物半导体的源头材料,对我国国防安全、高 科技 民族工业有重要意义。

历经重重困难,孙祥祯带领的课题组终于研制出了纯度大于5.5N的多个品种的MO源,全面向国内近20家研究单位供货,缓解了我国对MO源的急求。

这项工艺不仅促进了国防工业的发展,更为国内化合物半导体材料的发展奠定了原始的基础。

孙祥祯退休后,带领年轻人创立了南大光电,注册资本3770万元,生产拥有自主知识产权的高纯金属有机化合物,是国内唯一实现MO源产业化的企业,公司的技术主要来源便是南京大学863计划中的项目。

公司主要产品有三甲基镓,三甲基铟,三甲基铝,二茂镁等十几种MO源,在产品的合成、纯化、分析、封装、储运及安全操作等方面已达到国际先进水平,产品远销日本、韩国、欧洲市场,并占有大陆70%的市场份额。

作为国内唯一将半导体光学原材料实现量产的企业,南大光电对于光刻胶可以说十分熟悉,也是最有可能突破光刻胶技术的企业。

中国半导体在崛起

光刻胶到底是做什么用的呢?

芯片生产过程中,需要用光学材料将数以万计的电路刻在小小的7nm的芯片上,而这种辅助的光学材料,就是光刻胶。

在光刻胶领域,材料主要分为四种,分别为g线、i线、KrF、ArF光刻胶,半导体工艺越高,光刻机的精度越高,照射的光线频率越高,波长越短。

光刻胶的分辨率会随着光线频率的改变而不断变化,基本的演进路线是:g线(436nm) i线(365nm) KrF(248nm) ArF(193nm) F2(157nm) EUV(

其中,ArF光刻胶的制造难度是最高的,这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。

芯片的工艺也分等级,平板电脑、 汽车 芯片等工艺水平并不高,这各等级的芯片中国已经实现了从光刻机到芯片的完全自主化生产。真正困难的在于7nm的芯片,也就是华为遭到断供的手机芯片。

这种工艺的手机芯片,不仅需要荷兰ASML先进的EVU光刻机来生产,更需要高端的光刻胶作为辅助材料,以及大量的芯片原材料,才能成功生产出华为手机所需要的芯片。

光刻机被美国和荷兰的公司垄断,现在EVU光刻机对中国处于断供状态,中芯国际花了12亿购买的EVU光刻机至今仍未到货;

芯片原材料,虽然国内已有部分原材料实现自主生产,但是硅片、光掩模、电子特气、抛光材料、溅射靶材、光刻胶以及湿电子化学品这其中原材料完全依赖进口。

在全球光刻胶市场,日本东京应化,JSR,住友化学,信越化学等企业,掌握了全球半导体光刻胶市场的90%左右份额,几乎是垄断的状态。

方正证券的报告显示,中国大陆企业在全球光刻胶领域占有率不到13%,在半导体光刻胶领域更是不足5%,完全被日本卡了脖子!

但是,进入2021年以后,中国半导体行业国产化的趋势越来越强!

首先是光刻机领域,上海微电子已经实现28nm光刻机的量产,预计2022年可以交付,这款光刻机的性能与荷兰ASML的DVU光刻机相似,可以生产14nm制程工艺的芯片。

另外,美国虽然断供了最先进的EVU光刻机,但是制程工艺相对较低的DVU光刻机却没有断供,而荷兰ASML也明确表态过,EVU光刻机也可以用于7nm工艺芯片,英特尔的10nm工艺、台积电第一个7nm芯片,都是用DVU光刻机实现。

这意味着,2022年,现有的光刻机技术或许能够提前量产华为所需的7nm芯片,打破美国封锁。

而生产7nm工艺芯片所需要的ArF光刻胶,在7月2日就已经有国外企业向南大光电订购了,这意味着半导体光刻胶原材料也实现了自主化。

另外,南大光电,容大感光、上海新阳等国内企业,也在持续研发高端光刻胶,争取在现有技术上进一步突破,追上日本的光刻胶技术。

剩下的6种完全依赖进口的原材料,国内的企业肯定也已经发现了商机,正在朝着国产化转变;最关键的两项技术突破后,中国实现手机芯片国产化的日子也就不远了。

空谈误国、实干兴邦,中国的半导体行业,正在默默地奋力追赶,一如这次南大光电突然给市场来个惊喜一样,未来还将会看到更多的一鸣惊人的突破。

中国半导体,正在以惊人的速度崛起!

作者 | 金莱

光刻胶消息(光刻胶行情结束了) 第1张

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