中国可以制造多少纳米的光刻机呢（中国能造出多少纳米光刻机）
中国可以制造多少纳米的光刻机呢（中国能造出多少纳米光刻机）
7纳米。
中国实现7纳米芯片封装技术。
芯片：又名为集成电路，是应用于智能手机到计算机的重要硬件。在过去，中国没有掌握芯片制造技术，高端制造业所需要的芯片依赖于进口。近日，中国半导体制造国际公司宣布，中国一家公司实现了7纳米芯片的制造和封装技术，国内企业芯片的国产进程将加快。这引起了多国羡慕，看来用不了多久，中国出品将走向世界。
; 国产芯中国“芯”!如果没有华为在通信科技领域的异军突起直接威胁到西方发达国家的核心利益，美国也不会如此丧心病狂的用一个国家的力量对付一个企业，当然我们老百姓也不会去关注芯片这个原本属于科技领域的事情。如今在中国的大街小巷和餐馆排挡，要说什么话题最火，那莫过于“华为5G”和“芯片”这两个话题了。
人们除了惊讶于我国的科技水平居然已经达到了这种地步的时候，也在为我国什么时候才能突破高端芯片的技术封锁而着急。毕竟我们很多人都知道，我国在错过了第一次、第二次工业革命之后，就落后挨打了两百多年的时间，所以每人都都很清楚下一波工业革命的重要性。恰好华为5G的全球领先让我们看到了中国不仅能够赶上第四次工业革命，甚至很大程度上还有引领第四次工业革命的可能，每个人都兴奋不已。
但是目前，我们不得不认识到我国在半导体集成电路方面还和西方发达国家及企业有着不小的差距。在这个节骨眼上，偏偏美国又开始歇斯底里的打击中国科技企业，企图拖慢整个中国的半导体领域发展进程，因此我们很着急，我国何时才能突破芯片的技术封锁呢?
当然，着急是不解决任何问题的，如果着急有用的话，还要那些科研工作者和科学家干什么呢?我们一方面在着急的同时，也得清楚的认识到，即便在西方国家合力封锁我国芯片技术的背景下，我国自己的科技企业，还是取得了突破性的研究结果。
比如我国现有享誉世界的北斗全球定位导航卫星，其中所用的三号芯片现在已经成功的打破了22nm的上限，上海微电子也在当前大背景下加班加点的研制出了能够生产22nm的光刻机。这个消息让全国的科技圈都十分的振奋。
国产光刻机突破22纳米，差距还很大，为啥科研人员如此兴奋?
有不明所以的网友会比较好奇，现在全球最顶尖的芯片是5nm制程技术，甚至连3nm制程的也已经在研发设计中，为什么我们才刚刚到22nm就让国内科研人员异常兴奋呢?原因其实很简单，打个比方在你极度饥饿的时候，别说给你一桌山珍海味了，就是给你一个平淡无奇的白面馒头你都能吃的津津有味!
在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻，在突破关键领域以后，更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起。
与此同时，西方发达国家的硅基芯片的制造已经接近了物理极限，“摩尔定律”正在逐渐的失效，我国的芯片技术又在不断的突围。此消彼长之下，我国芯片制造能力追平世界领先水平也只是时间问题而已，更何况我国也在同步研究更加具有竞争力的“碳基芯片”，如果一旦研制成功，我们甚至都不需要再依赖光刻机，那么西方国家的封锁手段也会随之土崩瓦解。
所以，我们不能只是干着急，对于我国的芯片领域发展，还是要充满信心的。
中国有光刻机的可以做5纳米技术的芯片的，可以关注这方面的科技信息，中国能够自主研发出5纳米长度的计数芯片了
前些年华为缺芯事件闹得沸沸扬扬。如今华为自主研发芯片让国人为之自豪，但是又有一个问题难道不可以自己制造芯片吗？我们要知道制造芯片需要使用光刻机。但是纵观全球芯片公司，有这个技术和设备的只有三星公司了。它既可以自主研发又可以制造芯片，基本上垄断了行业芯片。但是反观中国目前的光刻机仍不能达到制作高端芯片的要求，技术还很落后。
一、如今国内光刻机能达到多少纳米的工艺制作？
查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米。但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作。而且即将推出3纳米工艺制作的芯片。但是据相关信息透露，预计我国第一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付。尽管国产光刻机仍与ASML的EUV光刻机还有很大的距离，虽然起步晚，但是国人的不断努力，仍会弯道超车。
二、国内公司可以自主购买EUV光刻机来解决这一现状吗？
答案是否定的。要知道华为缺芯事件就是美国从中作梗，更不可能让国内公司轻易购买到高端光刻机来自主造芯。尽管ASML公司也是通过在全球各地采购相应精良的零部件来组成最终的光刻机，但是任何零部件都无法避开美国的核心技术，所以美国为了达到控制中国发展，不会让中国轻而易举买到光刻机。
要制作出一台精良的光刻机，要做很多的攻坚，不仅要达到美国光源、德国镜头的高层面，还有许许多多的精密仪器。中国光刻机任重道远！在这些精密仪器的背后，同样也需要更多的人才、研究技术、时间投入、技术的积累同样也需要大量的资金。相信中国也会克服这一困难，从此不再受他国制约。
近日，有传言称，全国产28纳米产线已经量产，为华为代工的芯片也已经流片成功, 这可能吗？
中芯国际有28纳米生产线，都基本都是美国或者其它国家的半导体生产设备，这肯定受制于人，所以，纯国产的28纳米生产线当然好，其中最重要的是光刻机。
按照上述传言的说法，那就是中国研发成功了28纳米光刻机。实际当然不是如此。中国光刻机技术最强的上海微电子，目前只研发出90纳米的光刻机，一直想研发制造28纳米芯片的光刻机，预计2021年会交货，但最起码2022年才能在芯片厂达成量产。即便如此，上海微电子的这个光刻机技术也不能完全“去美”化。
但为何会有中国研发成功28纳米光刻机的传言呢？是因为最近有另外一个传言，即中国最大电子企业集团公司之一、中国电科推出了28纳米离子注入机，名称像是针对28纳米生产的，但离子注入机和光刻机还不是一回事。
决定芯片良品率高低的因素有很多，最重要的光刻机，而光刻机的一个环节又是离子注入环节。而在离子注入环节中担任“总指挥”的是离子注入机。
离子注入机在芯片制造过程中主要负责对芯片进行电离子改造，按照预定方式改变材料的电性能。在光刻机对芯片进行曝光生产前，离子注入机对硅片进行不同元素掺杂，能够提高芯片的集成度、良品率和寿命。简单来说，离子注入机在芯片制程中起到了优化硅片、提高芯片性能的作用。
我国以前在离子注入机技术方面也很差，这就对光刻机的研发有很大制约，所以，搞定了28纳米离子注入机技术，对研发28纳米光刻机有利，但不能等同于光刻机。
一个光刻机最起码几万个零部件，据悉，离子注入机技术只占光刻机技术的3%左右。
