国产光刻机研发成功是真的吗视频讲解（国产光刻机投产是真的吗）
国产光刻机研发成功是真的吗视频讲解（国产光刻机投产是真的吗）
国产光刻机任重道远。“即使你给图纸，你也做不出一个光刻机。”“就算全国都发展半导体制造，也很难成功。”ASML掌门人、TSMC创始人张忠谋在过去两三年里不止一次公开表示，中国大陆自己无法成功制造光刻机。实际上，严格来说，位于荷兰的ASML公司(ASML)是世界上唯一一家可以生产光刻机的公司，但它只是一家组装公司。大量核心技术来自美国，在ASML的供应链中也有中国公司，如傅晶科技和沃尔特天然气公司。实际上，在光刻机成品方面，上海微电子自2002年成立以来，一直牢牢扎根于低端光刻机市场，90nm及以下工艺的产品一直在稳步出货。公开数据显示，2018年上海微电子出货量约为50-60台，约占大陆市场的80%。所以，以上两人的论断要加上一个前提条件，那就是“先进制造工艺”的光刻机。我们常说的高级芯片是指生产工艺小于28nm的芯片，也就是28\14\7\5\3nm的工艺。这次上海微电子在光刻机举行首个2.5D/3D高级封装交付仪式，标志着中国首个2.5D/3D高级封装在光刻机正式交付给客户，但对于我们目前的卡顿芯片制造来说，只是暗夜中的烛光。“1”和“0”的故事虽然近年来“光刻机”屡见报端，但很少有人提到光刻机主要分为“前路、后路、面板”三类。卡脖子的是前路光刻机，这次上海微电子发布了光刻机。如果把芯片制造比作食品生产，前面的路就是“食品”本身，后面的路就是包装袋。面板制造属于平时想不起来的“调味品”，但它的缺失会直接打击消费者的味蕾，给数字生活调味，因为面板是C端用户最“触手可及”的。因为没有驱动芯片，无论是前端还是后端芯片，C端用户都很难对芯片性能有直观的体验。但是，无论包装和调味品对食品有多重要，如果没有“食品”本身，它的价值就是“0”。所以要想充分体现后通道和面板芯片的价值，首先要有性能优异的前通道芯片。在以前的光刻机制造中，其实光刻机并不是按照“NM”的个数来分类的，而是按照光源的波长来分为436nm光源的“g线光刻机”；具有365纳米光源的“I线掩模对准器”;具有248纳米光源的“KrF掩模对准器”;193nm深紫外光源的“DUV光刻机”;以及13.5nm极紫外光源的“EUV光刻机”，也是目前卡脖子的主打产品。目前上海微电子的产品技术已经触及ArF技术和相应的光刻胶。目前，国内公司如上海新阳、通成新材料、南大光电、景瑞股份有限公司等都已开展研发和生产。其中，南大光电旗下的ArF光刻胶已于2020年底顺利通过客户验证，是国内首个通过产品验证的国产光刻胶。
近日，有传言称，全国产28纳米产线已经量产，为华为代工的芯片也已经流片成功, 这可能吗？
中芯国际有28纳米生产线，都基本都是美国或者其它国家的半导体生产设备，这肯定受制于人，所以，纯国产的28纳米生产线当然好，其中最重要的是光刻机。
按照上述传言的说法，那就是中国研发成功了28纳米光刻机。实际当然不是如此。中国光刻机技术最强的上海微电子，目前只研发出90纳米的光刻机，一直想研发制造28纳米芯片的光刻机，预计2021年会交货，但最起码2022年才能在芯片厂达成量产。即便如此，上海微电子的这个光刻机技术也不能完全“去美”化。
但为何会有中国研发成功28纳米光刻机的传言呢？是因为最近有另外一个传言，即中国最大电子企业集团公司之一、中国电科推出了28纳米离子注入机，名称像是针对28纳米生产的，但离子注入机和光刻机还不是一回事。
决定芯片良品率高低的因素有很多，最重要的光刻机，而光刻机的一个环节又是离子注入环节。而在离子注入环节中担任“总指挥”的是离子注入机。
离子注入机在芯片制造过程中主要负责对芯片进行电离子改造，按照预定方式改变材料的电性能。在光刻机对芯片进行曝光生产前，离子注入机对硅片进行不同元素掺杂，能够提高芯片的集成度、良品率和寿命。简单来说，离子注入机在芯片制程中起到了优化硅片、提高芯片性能的作用。
我国以前在离子注入机技术方面也很差，这就对光刻机的研发有很大制约，所以，搞定了28纳米离子注入机技术，对研发28纳米光刻机有利，但不能等同于光刻机。
一个光刻机最起码几万个零部件，据悉，离子注入机技术只占光刻机技术的3%左右。
确保国家粮食安全才是最重要的，在工业生产领域门类齐全，技术够用，怎么都能对付，当然，吃饱饭，有闲钱的时候做一些基础性前瞻性的技术研发和技术储备对一个央央大国来说也很有必要！但粮食安全仍然是第一位的。
改革开放以前，南京无线电所就在研发光刻机，，，还有大飞机运十，大连523军工厂主攻的是核电蓄电池和核电民用，后来这些项目先后下马，造成今天被动的局面，挺多的遗憾。有些高精尖的产品研发，不是一朝一夕能完成，真的需要积累突破，发现问题一项一项解决攻克难关。
不单是光刻机，其他还有许多尖端设备、技术还需要我们去攻刻。 我们中华大国，被外国强权欺凌百年，这笔账迟早要清算，英日美等心里也清楚，在我们刚建国时，即有胆量在朝鲜与老美一较高下，更何况当前我们发展的势头迅猛。 文无第一，武无第二。老美当然要千方百计给我们添堵，只有将我们搞垮，它才心安。
关系到国家发展关键困难时，举国之力制造光刻机不存在对他国来说是很恐怖的存在。这又不是毁灭人类的超级武器。只能让他国明白对中国的任何技术封锁在举国之力之下是徒劳的！
当年的钱学森教授，也是留学美国多年，几经周折才回国的。他所掌握的技术专业，也没有离开美国科技土壤。如今，中国开发研究芯片，也应本着全方位开放思想，有利的因素都调动起来。无论是国内，还是国外的，都把积极性整合好，奔向一个目标发力使劲，相信中国最终一定能攻克芯片之难关!
如果中国以一国之力很快轻而易举的造出了光刻机。5纳米、2纳米，就会给人感觉特别强势，世界其它国家就会更害怕了，就会更快的形成围堵中国的外部环境，得给它们留下慢慢适应的时间，或者叫温水煮青蛙。即使我们已经做出来了，也得给人感觉很不容易，我们付出了巨大代价。没有国家希望世界有个如此厉害的对手。
光刻机由多个系统组成，每个系统都是世界顶级技术，比如光学镜头是德国蔡司公司所制造。我们只要集中力量，三年后镜头超德国，五年后诺贝尔奖得主人数超欧美，只要五年时间，中国技术全面先进了，欧美学生纷纷来中国留学而不是中国学生去欧美留学，到了那一天高端光刻机必将能造！
说分分钟造出来虽然有些夸张，但造出来显然不是很难的问题。 高端光刻机，全球每年只有20亿美元的市场需求，在可以买到的情况下选择自己去造，那中国的公司一定是疯了。 用来制造国防军事领域芯片的大尺寸中端光刻机，中国一直有，而且早就有。 大家一定要搞明白这件事，和目前很多需要进口的零配件一样，中国不造，是基于市场考量，不是技术无法攻关。
很多中国没掌握的技术不是没能力，而是出于利益的问题不想做。举个圆珠笔那个圆珠的例子，很多人说偌大的国家笔芯圆珠都生产不出来，其实不是中国没能力做。日本有现成的珠子卖，价格也不高，买来用是最实惠的。如果中国自己作，首先研发是一笔费用，生产出来后因为附带研发成本，销售价格肯定要比日本同类产品价格高，销售没渠道，就是国内厂家也不会用高成本的产品，没有市场竞争力，也就是不赚钱，也就没有厂家做这事了。但如果上游掐了脖子不买给我们，做个笔芯珠子也就是很短时间的事。
光刻机不是人多就能造出来的。它需要的透镜的技术太苛刻，而且可能人工合成的透镜无法达到要求。日本有世界上唯一一块巨型天然透镜，是从非洲发现并购买回来的。唯一性是不可代替的，多少人也没办法弄出来。日本的顶级光刻机可能隐藏没有公布出来。
光刻机是集合很多国家的高科技企业，历时十数年才有今天的成就，中间申请的专利权不计其数，光刻机制造原理都知道，要想制造出领先水平的光刻机，可能性微乎其微，因为首先你要绕过他们的专利技术，再制造出光源，光学镜片，精密机械，不是一个国家三年、五年，甚至十年能办成的事。
最近在网络上一个自制光刻机的视频火了，视频中的学生目前还是大连理工大学本科在读，却凭借着一张图纸在家里制作出了一台光刻机，并且使用自己制造的光刻机成功刻了孔径。在视频里我们可以看到这位学生制作光刻机的全程都是在一个书桌上进行的，数学演算也只有一块白板，各种材料基本都在地上堆着。看了这位学生自制光刻机的视频后有人觉得光刻机的制造难度仿佛也不难，实际上并非如此。
今年可以说是国产芯片制造业的生死时刻了，受贸易战影响，美国继续打压华为，根据美国相关法令要求，所有美国的技术和其他设备只要提供给华为使用就必须经过美国政府的同意，显然美国政府是不可能同意的。除了不允许本国的企业给华为提供技术之外，美国还试图设法阻止其他国家的企业给华为提供服务。
不了解科技圈的朋友可能不知道光刻机的重要性，在芯片的制造过程中，要经过湿洗、光刻和电镀处理等十余道程序，整个过程中需要进行数十次光刻，占整个生产过程的一半，成本也占到了三分之一。我国也在不断的自主研发光刻机，但是精度也只达不到要求。拿上海微电子来说，其研制了十余年，精度也只能达到90纳米左右，而华为需要的是7纳米和5纳米级别的光刻机，目前全球只有荷兰阿斯麦公司的EUV光刻机才能够达到。
自主研发光刻机面临着投入周期长、争夺市场难度高等问题，到时最大的问题还是技术壁垒。前面提到的阿斯麦公司其实并不是自己在生产光刻机，而是集合了数百家世界顶尖公司的优势技术。一台光科技有数万个零件，阿斯麦的光刻机零件都是掌握相关最高技术的企业在为他们生产。简单来说，如果有设备、有材料、有图纸，我们自主研发出光刻机并不困难，困难的是如何在国外的技术封锁下让世界各领域掌握最高技术的公司为我们供应零件。换句话说，如果我们想要完全地自主研发高精度光刻机，就必须同时掌握与光刻机制造流程相关的各个环节的最高技术以及所需要的各个零件制造方面的最高技术，难度可想而知。
中国的光刻机现在达到22纳米。在上海微电子技术突破之前，我国国产光刻机还停留在只制造90nm芯片的阶段。这一次中国从90nm突破到22nm，意味着光刻机制造的一些关键核心领域实现了国产化。掌握核心技术的重要性不言而喻。突破关键区域后，高阶光刻机的RD速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研发22nm光刻机。中国芯逐渐崛起。随着信息社会的快速发展，手机、电脑、电视等电子设备变得越来越“迷你”。从以前的“手机”到现在只有几个硬币厚的时尚手机，从老式的矮胖电视到现在的轻薄液晶电视，无一不离开集成电路的发展，也就是我们通常所说的“芯片”。自从1958年世界上第一块集成电路问世以来，体积越来越小，性能却越来越强。光刻机是半导体芯片制造行业的核心设备。以光刻机为代表的高端半导体设备支撑着集成电路产业的发展，芯片越来越小，集成电路越来越多，可以把终端做得小而精致。2002年，光刻机被列入国家863重大科技攻关计划，由科技部和上海市共同推动成立上海微电子设备有限公司(以下简称“SMEE”)。2008年，国家启动了“02”重大科技项目，持续攻关。经过十余年的研发，我国基本掌握了高端光刻机的集成技术，部分掌握了核心部件的制造技术，成为集光学、机械、电子等多学科前沿技术于一体的“智能制造行业的珠穆朗玛峰”。
中国有了自己的光刻机，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。这是世界上第一台利用紫外光实现22nm分辨率的超分辨率光刻设备，为纳米光学加工提供了全新的解决方案。在光电所的努力下，我国的RD光刻机跳出了通过减小波长、增加数值孔径来提高分辨率的老路，为突破22nm甚至10nm光刻节点提供了全新的技术，也为超分辨率光刻设备提供了理论基础。扩展信息:利用超分辨率光刻设备，项目组为航天科技集团第八研究院、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、电子科技大学、四川大学华西第二医院、重庆大学等单位制备了一系列纳米功能器件。包括大口径薄膜反射镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射装置、生化传感器芯片、超表面成像装置等。验证了超分辨光刻设备纳米功能器件加工能力，达到了实用化水平。
