光刻机*研究（光刻机研究进展）
光刻机*研究（光刻机研究进展）
此前，M国先是不允许高通等美企业与华为合作，紧接着又对使用M国芯片技术的企业加以限制，禁止任何使用本国技术的企业自有出货，受此政策影响，联发科、台积电等众多企业纷纷与华为分道扬镳。
要知道近些年随着我国 科技 的不断发展，手机等智能产品生产制造日益高涨，对芯片的使用与日俱增，M国这一做法，意在致众多企业于死地，迫于无奈，国内也开始了对芯片技术的重视，同时国家层面也开始出台了政策给与一定的支持！比如印发指导性文件、成立集成电路学院、提供税收优惠政策等。
不过，芯片的制造有一定的技术要求，也要具备一定的高端设备，比如光刻机。在M国限制风波过后，国产企业就纷纷投入光刻机的研发，好消息一个接一个。
据媒体报道，2021年上海微电子将会下线一批新的光刻机，据了解，其曝光精度已经从90nm大幅缩减到28nm，完全可以满足28nm制程的芯片生产。此外再加以多次曝光之后，该款光刻机还将应用于7nm制程的芯片生产。此外张召忠还曾表示过国内目前可能已经有了全新一代的光刻机。
这样的发展势头不容小视，似乎一切都应了张召忠的那句话，三年之后中国就不用外国进口芯片了，中国的芯片将满大街都是。
除了上海微电子之外，华为、清华大学、中科院方面也都有关于光刻机的消息传出。
据有关人士透露，华为已经开始广纳半导体技术人才，与国内该领域先进企业合作，加速对光刻机技术的研究，拟建立一条纯国产技术的生产线。
国内知名高校清华大学也有所进展，清华大学研究团队的研究论文表明，清华已经在光源研究方面有了巨大的突破。论文中还着重介绍了“稳态微聚束”原理的实验，该项技术是对新型粒子加速光源的首个实验，而光源技术则是光刻机生产的主要技术之一。
其次中科院也对光刻机的生产有所研究，据悉下一步中科院将会与国内供应链企业展开全面合作，力争早日实现技术新突破。
随着国产光刻技术的不断发展、突破技术瓶颈，生产先进的光刻机已经不再是镜花水月，这一天可能很快就到来了。
国产光刻接的好消息不断，尤其是随着纯国产的芯片生产线的建立，那么将来的ASML将彻底面临失去中国市场的危机。
迫于如此尴尬处境，ASML开始三番五次地表态，表示要向中国出售光刻机了。
比如就在M国2020修改芯片规则之后，ASML就曾表示，要稳住中国的芯片市场，倾其所有向中企给予技术支持。而且也急切地说明，向国内市场出售DUV光刻机可以不经过许可。
没过多久，ASML再次表示，如果自由贸易始终被限制，那么15年之后包含自己在内的其他芯片企业将彻底退出中国市场，或将面临被淘汰的风险。
从ASML接二连三的陈词不难看出，面对限制政策的影响，ASML已经坐不住了，这一切已经影响到了自己的企业生存问题。
种种迹象都表明，面对国产光刻机的消息传出，ASML已经如坐针毡，开始积极向国内市场靠拢了，要不然就真的与中国的巨大市场失之交臂了，毕竟企业是要生存，要吃饭的！
对于ASML，你们怎么看，有什么想说的吗？
相信很多人都知道，华为被芯片禁令限制了进一步的发展，但这个限制也仅仅是在制造端，而不是设计端。此前华为任正非就曾表示，所谓封锁也只是封锁了制造芯片的光刻机等设备，而并不能阻碍中国自主研发设计芯片的发展。这意味着，华为是有能力设计出全球最*的芯片，而仅仅是受制于制造端。
杀不死我的必将使我更加强大，就在芯片禁令生效之后，华为内部甚至中国企业，纷纷都开始重新认识自主研发 科技 的重要性。将重要的 科技 掌握在自我手中，不用再受制于人，是每一个出海的中国企业必须面临的问题。与此同时，也开始投入重金在半导体 科技 领域。
这次卡脖子的光刻机技术，是重中之重。不过国外的各种公司却依然投来了鄙视的目光，认为光靠中国自主技术去研发，根本不可能设计出自研芯片。随着国外势力的这种冷嘲热讽，中国各高等院校开始加入了这一场反击战。
让技术的回归技术，光刻机在内部结构中，最主要的三个部件就是光源、光学镜头，以及双工件台系统了。
最近一段时间，年初开始进行光刻机研究的清华科研队伍，终于取得了新的突破。唐传祥带领的科研团队，通过新的验证方式，获得了一种新型加速粒子，命名为稳态微聚束。而它最重要的波长对应的波段，刚好是EUV光刻机所需要的核心光源技术。
这一消息被证实后，许多国外的光刻机设备工程师都不由地赞叹，该来的还是来了。这一步骤的完成，将预示着中国自造的光刻机研发成果，已经进入了新的里程碑。
这个消息也让很多关心中国光刻机进展的朋友们，大为惊讶。也发出了另一种赞叹的声音，有可能中国将在未来几年之内获得更快速的进展，包括了目前难以攻克的光刻机设备。不过来自国内的声音，清华大学科研的成功，预示着光刻机高精尖技术的加速，可能真的用不了几年就能收获更大的惊喜。
果不其然，据*媒体的报道显示，清华科研团队参与的项目中，华卓精科研发的成果方面，本身产品的应用精度已经达到了世界先进水平，1.8nm的参数足以媲美当今先进的光刻机标准。
而我们知道，双工件是ASML这家机构最看重的技术。ASML不用多解释，作为世界*进的 光刻机设备制造商，实力非常雄厚。这次清华团队的研究成果能够匹配ASML的1.8nm水平，就已经说明了我国的实力，毕竟连日本的尼康等公司，都没有能够做到1.8nm的水平。
这个结果足以打脸国外之前那些媒体，另外除了我国的高等院校参与之外。目前，中科院的高能辐射光源设备，也已经能够用0.1nm镀膜的参数，全力投入使用。
至此目前EUV光刻机所需的三大件均已完成里程碑的突破，这标志着量变终于引起了质变。国内的中科院教授同样发出这样的感叹，有这样的进度和人才储备，未来3年之内完成光刻机的初步模型，指日可待。
而国外ASML一直以来唱衰中国自研科学实力的做法，其实也很容易理解。一来是各国所处的角度不同，二来是很担心中国来冲击到它的世界光刻机的地位。
打铁还需自身硬，中国自研 科技 实力一步一步增强，也让竞争对手们胆寒。 科技 的博弈是未来的主旋律，不断增强人才储备和技术科研成果的更新，才能够不落后。核心技术就要掌握在自己手中，中国芯势必会走出一条自己的康庄大道。
【新智元导读】 2月25日，清华大学工程物理系唐传祥研究组与合作团队在《自然》上发表研究论文《稳态微聚束原理的实验演示》，报告了一种新型粒子加速器光源「稳态微聚束」的首个原理验证实验。与之相关的极紫外光源有望解决自主研发光刻机中最核心的「卡脖子」难题。
最现代的研究用光源是基于粒子加速器的。
这些都是大型设施，电子在其中被加速到几乎是光速，然后发射出具有特殊性质的光脉冲。
在基于存储环的同步辐射源中，电子束在环中旅行数十亿转，然后在偏转磁体中产生快速连续的非常明亮的光脉冲。
相比之下，自由电子激光器(FEL)中的电子束被线性加速，然后发出单次超亮的类似激光的闪光。
近年来，储能环源以及FEL源促进了许多领域的进步，从对生物和医学问题的深入了解到材料研究、技术开发和量子物理学。
现在，一个中德团队证明，在同步辐射源中可以产生一种脉冲模式，结合了两种系统的优点。
2月25日，清华大学工程物理系教授唐传祥研究组与来自亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心（HZB）以及德国联邦物理技术研究院（PTB）的合作团队在Nature上发表了题为《稳态微聚束原理的实验演示》（ Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching ）的论文。
报告了一种新型粒子加速器光源「稳态微聚束」（Steady-state microbunching，SSMB）的首个原理验证实验。
该研究与极紫外（EUV）光刻机光源密切相关，有望为EUV光刻机提供新技术路线。
SSMB光源首个原理验证实验，中德团队登上Nature
同步辐射源提供短而强烈的微束电子，产生的辐射脉冲具有类似于激光的特性（与FEL一样），但也可以按顺序紧密跟随对方（与同步辐射光源一样）。
大约十年前，斯坦福大学教授、清华大学杰出访问教授、*加速器理论家赵午和他的博士生Daniel Ratner以提出了「稳态微束」（SSMB）。
赵午教授
该机制还应该使存储环不仅能以高重复率产生光脉冲，而且能像激光一样产生相干辐射。
来自清华大学的青年物理学家邓秀杰在他的博士论文中提出了这些观点，并对其进行了进一步的理论研究。
2017年，赵午教授联系了HZB的加速器物理学家，他们除了在HZB操作软X射线源BESSY II外，还在PTB操作计量光源（MLS）。
MLS是世界上第一个通过设计优化运行的光源，在所谓的 「低α模式 」下运行。
在这种模式下，电子束可以大大缩短。10多年来，那里的研究人员一直在不断开发这种特殊的运行模式。
HZB的加速器专家Markus Ries解释说：「现在，这项开发工作的成果使我们能够满足具有挑战性的物理要求，在MLS实证确认SSMB原理」。
「SSMB团队中的理论小组在准备阶段就定义了实现机器*性能的物理边界条件。这使我们能够用MLS生成新的机器状态，并与邓秀杰一起对它们进行充分的调整，直到能够检测到我们正在寻找的脉冲模式」，HZB的加速器物理学家Jörg Feikes说。
HZB和PTB专家使用了一种光学激光器，其光波与MLS中的电子束在空间和时间上精确同步耦合。
这就调制了电子束中电子的能量。
「这使得几毫米长的电子束在存储环中正好转了一圈后分裂成微束（只有1微米长），然后发射光脉冲，像激光一样相互放大」，Jörg Feikes解释道。
「对相干态的实验性探测绝非易事，但我们PTB的同事开发了一种新的光学检测装置，成功地进行了探测。」
SSMB概念提出后，赵午持续推动SSMB的研究与国际合作。
2017年，唐传祥与赵午发起该项实验，唐传祥研究组主导完成了实验的理论分析和物理设计，并开发测试实验的激光系统，与合作单位进行实验，并完成了实验数据分析与文章撰写。
揭示SSMB作为未来光子源潜力的关键一步，是在真实机器上演示其机制。在新的论文中，研究人员报告了SSMB机制的实验演示。
SSMB原理验证实验示意图
实验表明，存储在准等时环中的电子束可以产生亚微米级的微束和相干辐射，由1,064纳米波长激光器诱导的能量调制后一个完整的旋转。
结果验证了电子的光相可以在亚激光波长的精度上逐次相关。
SSMB原理验证实验结果
在这种相位相关性的基础上，研究人员通过应用相位锁定的激光器与电子轮流相互作用来实现SSMB。
该图示直观地展示了如何通过激光调制电子束来产生发射激光的微束，是实现基于SSMB的高重复性、高功率光子源的一个里程碑。
有望解决EUV卡脖子难题
没有*的光刻机，是我国半导体行业发展的*瓶颈。
光刻机的曝光分辨率与波长直接相关，半个多世纪以来，光刻机光源的波长不断缩小，芯片工业界公认的新一代主流光刻技术是采用波长为13.5纳米光源的EUV（极紫外光源）光刻。
大功率的EUV光源是EUV光刻机的核心基础。简而言之，光刻机需要的EUV光，要求是波长短，功率大。
EUV光刻机工作相当于用波长只有头发直径一万分之一的极紫外光，在晶圆上「雕刻」电路，最后将让指甲盖大小的芯片包含上百亿个晶体管，这种设备工艺展现了人类 科技 发展的*水平。
而昂贵的EUV光刻机也正是实现7nm的关键设备，目前，荷兰ASML是全球*一家能够量产EUV光刻机的厂商，而由于禁令，我国中芯国际订购的一台EUV仍未到货。
如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。
目前ASML公司采用的是高能脉冲激光轰击液态锡靶，形成等离子体然后产生波长13.5纳米的EUV光源，功率约250瓦。而随着芯片工艺节点的不断缩小，预计对EUV光源功率的要求将不断提升，达到千瓦量级。
SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源。它们产生的类似激光的辐射也超出了 "光 "的可见光谱，例如在EUV范围内，最后阶段，SSMB源可以提供一种新的辐射特性。脉冲是强烈的、集中的和窄带的。可以说，它们结合了同步辐射光的优势和FEL脉冲的优势。
可以说，基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，并具备向更短波长扩展的潜力，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。
EUV光刻机的自主研发还有很长的路要走，基于SSMB的EUV光源有望解决自主研发光刻机中最核心的「卡脖子」难题。
关于作者
本文的通讯作者唐传祥教授是清华大学的博士生导师。
1992年9月－1996年3月，考入 清华大学工程物理系硕博连读。1996年3月获得工学博士学位， 博士学位论文为“用于北京自由电子激光装置的多腔热阴极微波电子枪的研究”。
1996年4月获得博士学位后，留校工作。
1996年7月 1998年6月期间，作为访问学者到德国DESY工作2年。在DESY工作期间，主要进行超导加速结构的优化及测量研究，并与J. Sekutowicz, M.Ferrario等合作提出了Superstructure的超导加速结构。
1998年6月回国后，继续在清华大学从事加速器物理、高亮度注入器、汤姆逊散射X射线源、自由电子激光、新加速原理与新型加速结构、电子直线加速器关键物理及技术、加速器应用等方面的研究。
参考资料：
中国和中国企业的飞速发展是所有人都看在眼里的，所以这也成为了某些国家的眼中钉，肉中刺。所以某国的报复也随之而来。从5G被华为研发开始，快速占领了全球市场的华为遭到了无数的针对，而某国因为眼红技术给华为下了一纸限令。而这样的结果让全球的半导体领域的企业全部乱了套，半导体行业的飞速发展戛然而止，此刻我们才终于明白，技术掌握在自己手里，那才是最重要的。
华为目前的情况不容乐观，但是相信任正非也有了缓解的办法，目前的华为像是一头韬光养晦的猛虎。但是某国的做法实在太过无耻，有了第一次，那么就会有第二次，第三次。这样制裁下来不仅仅会拖慢我国 科技 发展，对于我国工业发展也会造成很大的影响。从此刻开始，我国的高 科技 领域的企业纷纷把目光投入到了自研当中。一时之间，自研热潮开始席卷国内半导体领域，投入的企业犹如过江之鲤。而这样的情况也让国内的半导体行业在技术方面有了一次又一次的突破。而随之而来的却是更大的问题。
芯片的核心制造需要用到高*度的光刻机，而普通的光刻机又无法满足我们对于低nm的需求。全球*一家EUV光刻机厂商，因为美国施压，导致18年订购的到现在还没有交付。
可以说，EUV光刻机是有钱也买不到，而且也成为了半导体自研发展的“拦路虎”。
有困难就会有解决办法，我们只能是往前猛冲，既然没有光刻机，那我们就研究光刻机。没有低nm技术我们就自主开发。据小道消息称，中芯国际已经基本上把3nm和5nm的芯片技术掌握。只要光刻机到位，什么问题，都将不是问题。
而光刻机的研发也被提上了日程，一个一个的技术问题都被发现解决。而***最近也传来光刻机的捷报，由于辐射光源不足，我们在高端光刻机方面迟迟不能更进一步。而目前这个问题已经被解决，核心技术方面也已经有部分开始掌握。
这个消息一出，估计阿斯麦也在头疼了，当初阿斯麦的总裁曾经说过，中国作为一个工业大国，把其逼到自主研发，对谁都没有好处。但是阿斯麦始终没想到我们能发展的如此迅速。阿斯麦这是亲手“逼”出来了一个能对自己造成“致命伤害”的对手。
