外国光刻机几纳米（目前国际纳米光刻机最小是几纳米）
外国光刻机几纳米（目前国际纳米光刻机最小是几纳米）
笫一代光刻机是436纳米。一切光刻机的核心零件是围绕光源来的，根据光源的改进，光刻机一共可以分为5代，分别是最早的436纳米光刻机，然后第二代是365纳米波长，第三代是248纳米，第四代是193纳米波长，第五代是13.5纳米波长的EUV光刻机。
波兰不生产光刻机，生产光刻机的是荷兰。
全球唯一能制造高端euv光刻机的是荷兰阿斯麦尔公司，euv光刻机是采用13.5纳米极紫外光光源，为第五代光刻机，与第四代光刻机光源的193纳米深紫外光光源，技术上提升非常巨大，该光刻机可以说是全球尖端技术集大成者。波兰这个国家不生产光刻机。
15纳米。
在上世纪九十年代，尼康和佳能才是全球光刻机霸主，当时根本就没有ASML什么事，只是后来包括尼康和佳能都陷入了157纳米光刻机技术困境当中。
而他们又不转变思路，结果荷兰ASML通过采取台积电建议的浸入式技术，实现了技术上的突破，然后开始把尼康和佳能远远甩在身后，从2011年之后，ASML就几乎垄断了全球所有的高端光刻机市场。
我国光刻机研发
我国也有不少企业和科研院所在研发光刻机，而且我国在2007年就实现了90纳米光刻机的技术突破，但直到现在我国真正量产的光刻机也一直停留在90nm，虽然前段时间上海微电子宣布已经成功研发出28纳米光刻机，但要真正量产也需要等到2021年底或者2022年。
但是从28纳米到7纳米还有很长的路要走，在这过程当中，首先要突破14nm才可以，因此我国什么时候能够研发出7纳米光刻机还是一个未知数。
光刻机最先进的是90纳米。纳米科技现在已经包括纳米生物学、纳米电子学、纳米材料学、纳米机械学、纳米化学等学科。从包括微电子等在内的微米科技到纳米科技，人类正越来越向微观世界深入，人们认识、改造微观世界的水平提高到前所未有的高度。
光刻机的概括
光刻机又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的主要性能指标有支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
针对各大专院校、企业及科研单位，对光刻机使用特性研发的一种高精度光刻机，中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件箱等组成。
65纳米
asml与台积电联合制造的样机沉浸式光刻机TAT:1150i) 2005年65纳米。
日本NIKON的光刻机没有到这么高精度的。目前最高分辨力到13.5纳米，来自荷兰ASML公司，采用的是EUV极紫外光刻技术。日本NIKON没有开发出EUV光刻机，止步于38纳米分辨力的ArFi浸没式光刻机。日本CANON曾收购分子纳米压印公司，企图弯道超车作13纳米工艺，但是这项技术注定良率很低，无法量产。
