光刻胶新闻南大光电（南大光电生产光刻胶）
光刻胶新闻南大光电（南大光电生产光刻胶）
近日，半导体领域迎来重磅消息，南大光电的ArF光刻胶取得突破，国产光刻胶终于来了！
南大光电光刻胶突破
早在5月30日，南大光电就已经发布公告称，公司自主研发的ArF光刻胶产品通过客户认证，具备55nm工艺要求。
7月2日，有报道称，南大光电的ArF光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。
这都在表明，国产光刻胶终于不再受制于人，而是实现国产化了。
芯片在制造过程中，除了硅这种主要材料之外，一些辅助材料也至关重要，其中有一种名为光刻胶的材料，在芯片制造过程中必不可少，然而，这个材料却长期被日本垄断，中国也在这方面一直被卡脖子。
而最近传出的一个消息，对我国半导体的发展非常不利，日本对中国供应的光刻胶出现了“断供”的现象。美国召开G7峰会后，日本宣布光刻胶断供中国，日本信越化学等光刻胶企业开始限制供应ArF光刻胶产品。
断供光刻胶，对半导体行业的人而言并不陌生，2019年日韩贸易冲突白热化，日本就断供了光刻胶，导致当时全球最大的芯片厂商三星陷入了困境之中。
虽然韩国积极向日本低头求和并开展自救，但芯片生产依然受到巨大影响，间接推动了2020年的芯片短缺。
巧妇难为无米之炊，没有了光刻胶，对于中国的晶圆厂而言是巨大的打击，芯片生产将被迫停止！
好在，光刻胶的国产化进程并不慢，日企断供短短半年时间，南大光电就已经将国产光刻胶投入市场中了。
南大光电，成立于2000年12月，是以南京大学国家863计划研究成果作为技术支持的中国高纯金属有机化合物MO源的产业化基地。
1986年，863计划启动，在高济宇院士的支持和指导下，学者孙祥祯牵头进行MO源的技术攻关。MO源是一种禁运物资，更是生产化合物半导体的源头材料，对我国国防安全、高 科技 民族工业有重要意义。
历经重重困难，孙祥祯带领的课题组终于研制出了纯度大于5.5N的多个品种的MO源，全面向国内近20家研究单位供货，缓解了我国对MO源的急求。
这项工艺不仅促进了国防工业的发展，更为国内化合物半导体材料的发展奠定了原始的基础。
孙祥祯退休后，带领年轻人创立了南大光电，注册资本3770万元，生产拥有自主知识产权的高纯金属有机化合物，是国内唯一实现MO源产业化的企业，公司的技术主要来源便是南京大学863计划中的项目。
公司主要产品有三甲基镓，三甲基铟，三甲基铝，二茂镁等十几种MO源，在产品的合成、纯化、分析、封装、储运及安全操作等方面已达到国际先进水平，产品远销日本、韩国、欧洲市场，并占有大陆70%的市场份额。
作为国内唯一将半导体光学原材料实现量产的企业，南大光电对于光刻胶可以说十分熟悉，也是最有可能突破光刻胶技术的企业。
中国半导体在崛起
光刻胶到底是做什么用的呢？
芯片生产过程中，需要用光学材料将数以万计的电路刻在小小的7nm的芯片上，而这种辅助的光学材料，就是光刻胶。
在光刻胶领域，材料主要分为四种，分别为g线、i线、KrF、ArF光刻胶，半导体工艺越高，光刻机的精度越高，照射的光线频率越高，波长越短。
光刻胶的分辨率会随着光线频率的改变而不断变化，基本的演进路线是：g线（436nm） i线（365nm） KrF（248nm） ArF（193nm） F2（157nm） EUV（
其中，ArF光刻胶的制造难度是最高的，这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。
芯片的工艺也分等级，平板电脑、 汽车 芯片等工艺水平并不高，这各等级的芯片中国已经实现了从光刻机到芯片的完全自主化生产。真正困难的在于7nm的芯片，也就是华为遭到断供的手机芯片。
这种工艺的手机芯片，不仅需要荷兰ASML先进的EVU光刻机来生产，更需要高端的光刻胶作为辅助材料，以及大量的芯片原材料，才能成功生产出华为手机所需要的芯片。
光刻机被美国和荷兰的公司垄断，现在EVU光刻机对中国处于断供状态，中芯国际花了12亿购买的EVU光刻机至今仍未到货；
芯片原材料，虽然国内已有部分原材料实现自主生产，但是硅片、光掩模、电子特气、抛光材料、溅射靶材、光刻胶以及湿电子化学品这其中原材料完全依赖进口。
在全球光刻胶市场，日本东京应化，JSR，住友化学，信越化学等企业，掌握了全球半导体光刻胶市场的90%左右份额，几乎是垄断的状态。
方正证券的报告显示，中国大陆企业在全球光刻胶领域占有率不到13%，在半导体光刻胶领域更是不足5%，完全被日本卡了脖子！
但是，进入2021年以后，中国半导体行业国产化的趋势越来越强！
首先是光刻机领域，上海微电子已经实现28nm光刻机的量产，预计2022年可以交付，这款光刻机的性能与荷兰ASML的DVU光刻机相似，可以生产14nm制程工艺的芯片。
另外，美国虽然断供了最先进的EVU光刻机，但是制程工艺相对较低的DVU光刻机却没有断供，而荷兰ASML也明确表态过，EVU光刻机也可以用于7nm工艺芯片，英特尔的10nm工艺、台积电第一个7nm芯片，都是用DVU光刻机实现。
这意味着，2022年，现有的光刻机技术或许能够提前量产华为所需的7nm芯片，打破美国封锁。
而生产7nm工艺芯片所需要的ArF光刻胶，在7月2日就已经有国外企业向南大光电订购了，这意味着半导体光刻胶原材料也实现了自主化。
另外，南大光电，容大感光、上海新阳等国内企业，也在持续研发高端光刻胶，争取在现有技术上进一步突破，追上日本的光刻胶技术。
剩下的6种完全依赖进口的原材料，国内的企业肯定也已经发现了商机，正在朝着国产化转变；最关键的两项技术突破后，中国实现手机芯片国产化的日子也就不远了。
空谈误国、实干兴邦，中国的半导体行业，正在默默地奋力追赶，一如这次南大光电突然给市场来个惊喜一样，未来还将会看到更多的一鸣惊人的突破。
中国半导体，正在以惊人的速度崛起！
作者 | 金莱
观察者网·大橘 财经 讯（文/吕栋 编辑/尹哲）在集成电路制造领域，光刻机被称为是推动制程技术进步的“引擎”，而光刻胶就是“燃料”。
未来几年，随着中芯国际、长江存储、长鑫存储等晶圆厂进入产能扩张期，高端光刻胶的国产化替代迎来重要窗口。
12月17日晚间，南大光电公告披露，其控股子公司宁波南大光电材料有限公司（下称：宁波南大光电）自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户使用认证，可用于90nm-14nm甚至7nm技术节点。
“本次产品的认证通过，标志着‘ArF光刻胶产品开发和产业化’项目取得关键性的突破，成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶，为全面完成项目目标奠定坚实的基础。”公告中写道。
南大光电内部人士今天在接受观察者网采访时透露，ArF光刻胶生产线已建成，可根据客户需要量产。
受上述消息影响，创业板上市的南大光电今天高开近14%，最终收涨8%。
不过，需要注意的是，截至今年上半年，光刻胶业务还未给南大光电贡献营收。该公司坦言，ArF光刻胶存在稳定量产周期长、风险大等特点，后续是否能取得下游客户订单存在较多不确定性。
最近三年，南大光电净利润增速骤降，2019年扣非净利润仅为上市前的五分之一。
公告截图
量产阶段仍存诸多风险
观察者网梳理相关资料发现，光刻胶是一种对光敏感的混合液体，可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。
依据使用场景，待加工基片可以是集成电路材料、显示面板材料或者印刷电路板（PCB）。
因此，按应用领域分类，光刻胶又可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。目前，国产光刻胶以PCB用光刻胶为主，显示面板、半导体用光刻胶供应量占比极低。
浙商证券2020年4月研报截图
作为技术难度最大的光刻胶品种，半导体光刻胶也是国产与国际先进水平差距最大的一类。
长时间以来，为满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，光刻机不断通过缩短曝光波长的方式，提高极限分辨率。
目前，光刻机光源波长由紫外宽谱逐步缩短至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先进的EUV(
本次南大光电通过客户认证的光刻胶，就是ArF光刻胶。
国元证券2019年1月研报截图
南大光电表示，ArF光刻胶材料可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺，广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 AI芯片、5G芯片、大容量存储器和云计算芯片等）。
认证评估报告显示，“本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。”
南大光电认为，本次通过客户认证的产业化意义大。
“本次验证使用的50nm闪存技术平台，在特征尺寸上，线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求，孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求，该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。”公告中称。
至于为何选在50nm闪存产线验证， 南大光电内部人士向观察者网表示 ，该公司产品分别在不同客户处验证，有逻辑有存储的。因为存储的先通过，就先公告，其他的还在努力中。
不过，该人士并未向观察者网透露，公告中的客户是国内或者国外厂商。
IC光刻流程图
目前，全球光刻胶市场基本被美日大型企业垄断，中国大陆内资企业所占市场份额不足10%。
2019年，日韩贸易争端中，日本就曾通过禁运光刻胶对整个韩国半导体行业造成打击。
为支持国内企业加大光刻胶开发力度，2000年以来，我国出台多项政策支持半导体行业发展。
2006年，国务院在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中提出《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目，因次序排在所列16个重大专项第二位，在业内被称为“02专项”。
公告显示，“ArF光刻胶产品开发和产业化”就是南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目。
券商统计的信息显示，南大光电2017年承接的ArF光刻胶项目总投资额为6.6亿元，其中国拨资金1.9亿元，地方配套资金1.97亿元，使用上市时的超募资金1.5亿元及其他自筹资金。
该项目拟通过3年达到年产25吨ArF干式和浸没式光刻胶产品的生产规模，预计达产后年销售收入平均为1.48亿元，实现净利润0.6亿元，投资回收期6.8年（包含3年建设期），内部报酬率为18%。
截至今年上半年，光刻胶业务尚未给南大光电贡献营收。
该公司在公告中表示，ArF光刻胶产品与客户的产品销售与服务协议尚在协商之中。
“尤其是ArF光刻胶的复杂性决定其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，不仅需要技术攻关，还需要在应用中进行工艺的改进、完善，这些都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益。”
深交所互动易截图
最近三年净利润增速骤降
在ArF光刻胶贡献收入前，南大光电营收来源主要包括MO源产品和特气产品。
2020年半年报介绍，MO源系列产品是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料，在半导体照明、信息通讯、航空航天等领域有极其重要的作用。
而电子特气是“集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、LED、太阳能电池、光纤等电子工业生产中必不可少的基础和支撑性材料”。
今年5月，南大光电董事长兼总经理冯剑松在业绩说明会上称，该公司将力争实现“MO源全球第一，电子特气国内一流，193nm光刻胶成功产业化”。
上半年，南大光电特种气体业务营收1.88亿元，同比增长274.15%；MO源产品实现营收0.68亿元，同比下滑23.55%；两项业务占比分别为 71.73% 、25.82%。
事实上，最近几年，南大光电特种气体业务持续增长。2017-2019年分别贡献0.36亿、0.78亿、1.64亿元的收入，营收占比也从20.16%增长至51.82%。
与此同时，该公司的MO源业务并不太稳定，2018年产量和销量均创 历史 最好水平后，2019年该业务销售收入下滑2.87%。
2017年以来，南大光电整体营收呈增长态势，从1.77亿元增长至2019年的3.21亿元，净利润从3384万元增长至5501万元，但净利润增速从348%骤降至7.36%。
“i问财”截图
扣除非经常性损益后，南大光电2017年-2019年的净利润分别为0.2亿元、0.37亿元、0.368亿元。而登陆创业板之前的2011年，该公司还实现扣非净利润1.76亿元，是去年扣非净利的近5倍。
同期，南大光电研发投入分别为3844万元、3735万元、6585万元，占营收的比重分别为21.69%、16.37%、20.49%，占净利润比重分别为114%、73%、120%。
今年前三季度，南大光电营收大幅增长96.15%，归母净利润增长97%，但主要是出售北京科华股权等带来的非经常性损益大幅增加。
当季，该公司扣非后净利润下滑84.84%，该公司称主要是摊销股权激励成本、研发费用投入及奖金计提增加所致；经营活动产生的现金流量净额同比下滑189.52%，主要是政府补助款较上年减少及本期拨付前期收到的项目经费给联合单位所致。
三季度财报截图
本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。
芯片生产过程整体上可以分为三个环节，分别是芯片设计、芯片制造和芯片封装。其中芯片制造是最硬核的一个步骤，涉及到各种顶尖的技术，设备和材料等等。
任何一个细节出现纰漏，都有可能影响芯片制造的效果。大家都知道光刻机对芯片生产有很重要的意义，但实际上芯片制造关键之一也包括了光刻胶。
如果说光刻机是制造过程中必不可少的设备，那么光刻机就是保证制造芯片前的关键。光刻胶作为一种有机化合物，在被紫外光曝光后，以液态的形式涂抹在硅片上，从而干燥成胶膜，保护硅片在光刻过程中的作业。
在芯片制造所涉及的材料上，光刻胶是不可或缺的。而光刻胶的应用领域非常广，包括在印刷工业领域。
只是由于集成电路产业规模的增长，加大了对光刻胶材料的应用。只不过光刻胶一直被日本企业垄断。包括东京应化，富士胶片等日本企业都是光刻胶领域的巨头。
因为在光刻胶产业有着极大的话语权，所以不少国家都要选择与日本合作，进购光刻胶。日本长期维持对光刻胶的垄断，但中国企业传来好消息，突破了关键芯片材料，打破垄断。
中国企业这些年在各项半导体集成电路领域一直在发展，其中涉及到芯片材料的光刻胶上也取得了进展。
据科创板日报消息，南大光电控股子公司自主研发的ArF光刻胶产品已经通过了客户认证，这次通过认证以后，意味着ArF光刻胶产品的开发和产业化取得了关键突破。这也是国内首个国产ArF光刻胶。
据了解，ArF光刻胶可以用在90nm-14nm，甚至是7nm芯片制程技术的应用，在高端芯片制造能发挥重要作用。
如今南大光电突破关键芯片材料，打破日本技术垄断，而且关键性堪比光刻机。虽然距离生产高端芯片还有一段路要走，但是每一次实现的技术突破，都是在为将来生产高端工艺芯片打下基础。
芯片设计有华为海思、芯片制造有中芯国际、芯片材料有南大光电，还有光刻机设备制造也有上海微电子。
集合这么多的顶级 科技 力量，相信未来我们能够在更多的关键技术上迎来突破。
芯片制造是一项复杂的过程，从设计到制造，再从制造到封装，一颗小小的芯片能够被生产出来，背后有太多的不容易。
但是这并不代表会放弃，相反还会激励我们不断向前。前有华为突破5nm设计芯片，后有南大光电打破日本技术垄断，带来ArF光刻胶，为中国芯片制造产业做出巨大贡献。
在芯片制造产业的进展已经非常迅速了，比如中芯国际在梁孟松的帮助下，从三年前的28nm到今年量产14nm，最快明年就能尝试生产7nm芯片。将来要是能获得EUV光刻机，更高的5nm，以及3nm都开始进行研究。
为了鼓励芯片制造企业加强技术研发，我国给予最高免税十年的待遇。还要培养半导体人才，这一切都说明，以前落下的功课，我们正在补上。所有取得高分的学霸，都是一点一滴积累起来的。
南大光电在ArF光刻胶上取得突破，完成了客户认证。这仅仅迈出了第一步，还有第二步，第三步。像南大光电这类的企业在我国还有很多，他们都在默默为中国半导体付出。
曾几何时，国产芯片有这么快的进展速度。因为华为让我们认识到自主技术的重要性，只有掌握核心 科技 才能睡上安稳觉。期待国产半导体能取得更大的突破。
对南大光电突破ArF光刻胶你有什么看法呢？
南大光电业绩稳中向好的背后透露着国产半导体发展的坚持与不易。
南大光电(300346.SZ)7月12日晚间发布业绩预告，预计2022年半年度归母净利1.4亿元-1.52亿元，同比增长63.7%-77.74%。
南大光电称业绩变动的主要原因，是公司的MO源销售业绩增长，同时通过技术创新拓展下游新应用，产品在第三代半导体、IC及光伏领域实现突破，先进前驱体材料业务抓住半导体材料国产替代加速契机，销售收入较去年同期增长约90%，成为公司新的业绩增长点。
据了解，“MO 源”即高纯金属有机化合物, 亦称前A915AY-100M体或前驱体(precursOr)，是半导体产业链的源头材料。目前，南大光电以先进前驱体材料、电子特气和光刻胶三大半导体核心材料为主业。
2021年，南大光电实现营收9.84亿元，同比增长65.46%；净利润1.83亿元，同比增长68.53%；实现归属于上市公司股东的净利润1.36亿元，同比增长56.55%。其中，分产品来看，2021年特气产品营收7.31亿元，MO源产品实现营收1.66亿元，其他5395万。
长江商报奔腾新闻注意到，虽然南大光电前驱体材料业务发展良好，但是光刻胶的项目却暂时陷入了僵局。即使在国家大力发展新型材料行业的背景下，目前全球的光刻胶生产企业依然集中在日本与美国，虽不至于完全垄断，但是“卡脖子”的困境也依旧没有解除。
据悉，南大光电ArF光刻胶开发和产业化，是为配合推动国家“02 专项”光刻胶技术开发及产业化项目的开展而设立，公司募投项目“光刻胶项目”总投资额为6.6亿元，计划使用募集资金1.5亿元。但2022年3月31日，南大光电发表公告称，公司募投项目“光刻胶项目”受到多重因素影响，计划将建设完成期限由原计划2021年12月31日延长至2022年12月31日。
南大光电在公告中指出了原因，除了受到疫情、客户需求、公司经营情况等多重影响，最大的影响是项目所需的缺陷检测等关键设备采购周期延长，安装、调试工作也相应后移，导致该项目建设进度不及预期。
2022年6月29日，南大光电就公司发布债券的相关问询向深圳证券交易所回复时，再次谈及了公司之前募资所专注的光刻胶项目所面临的问题。南大光电称，目前最大的延迟原因出在没有缺陷检测设备上。缺陷检测设备系28nm以下制程芯片用光刻胶制备所必需的设备，该设备目前仍依托进口，虽然南大光电与美国供应商已确立合作意愿，但具体交付时间尚存不确定性，给28nm以下制程芯片用光刻胶产品产业化带来困难， 进而影响了整体募投项目实施进度。
为了解决该问题，南大光电曾尝试采取委托外包方式，但外包会导致参数性能的较大不确定性，检测成本也将难以控制，故不做首选方案。南大光电同时也在积极考虑切换其他供应渠道，通过不同渠道对比，公司了解到目前已有国产设备正在测试且即将实现商用，公司正在评估和考虑是否应选择国产设备供应。
2022年第一季度，南大光电营收约4.11亿元，同比增加94.67%；净利润约8067万元，同比增加89.38%；基本每股收益0.19元，同比增加72.73%。
其中，作为芯片光刻过程的关键耗材，半导体光刻胶供不应求、完全靠抢的现状更是备受热议。
众所周知， 光刻胶的质量和性能对于芯片光刻工艺有着重要的影响。这意味着，光刻胶的供应受限，将直接阻碍芯片发展。
对于我国而言， 光刻胶领域长期以来国外先进企业的工艺及参与，对外依存度高达90%。 在当下中国国产芯片突破的关键时刻，倘若因为光刻胶被卡脖子影响了整体芯片行业的进步，将对芯片国产化造成致命的打击。
好在，从目前中国光刻胶领域传来的种种好消息来看，国产光刻胶已经成功破冰。
据7月2日IT之家给出的消息： 南大光电的ArF 光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。
早在5月底，南大光电就已经发布公告表示：公司自主研发的ArF 光刻胶产品通过客户认证，具备55nm工艺要求。
此次南大光电ArF 光刻胶产品成功拿到订单， 意味着我国将打破用于精密工艺的ArF 光刻胶产品一直以来被外企垄断的局面。
今年2月中旬，由于地震等相关因素的影响，日本光刻胶企业信越化学一度停止向中国大陆多家晶圆厂断供光刻胶。
当下全球半导体光刻胶市场主要被日本、美国等企业垄断，中国能够批量生产KrF、ArF光刻胶的厂商屈指可数 。以至于当国外光刻胶企业涨价或断供之后，国内晶圆厂势必要面对光刻胶缺货的窘境。
随着南大光电等国内光刻胶龙头不断进行光刻胶领域的投资研发成功，并取得突出进展，如今已经粉碎了日本企业的垄断梦。
不过，中国要想真正将光刻胶技术垄断在自己手里，还要突破技术与市场两大壁垒。
作为一个劳动与技术高度密集的产业，光刻胶领域存在极高的技术壁垒 。目前80%的光刻胶专利都垄断在日本手中，中国想要实现突破仍需继续努力。
同时，有日本掌握了先进技术以及配套产业链，其当下几乎垄断了整个光刻胶市场。 对于中国光刻胶企业来说，即便能够研发出新技术，能否得到广泛应用还未可知。
由此看来，国产光刻胶想要实现真正意义上的破冰，任重而道远。
芯片是横在国民科技企业脖子上的一把刀，要么从外国的手中抢过来，要么自己也造出来和他们对拼。随着华为事情的发酵，国民越发明白在芯片制造上我们多么软弱无力，为此举国上下都卯足了劲儿突破这一难关。最近南大光电传来消息，他们突破了光刻胶这一芯片制造的核心技术。
目前，南大光电已经正式对外界宣布，他们建设完成了国内首条ArF光刻胶生产线，并已经投入生产，这种ARF光刻胶可用于7nm极其以上的芯片制造，意味着我国在7nm芯片制造上，再次突破了一个垄断。
此前我国的光刻胶主要是通过日本进口，并且日本的高端光刻胶产业几乎被美国的对冲资金控制，等同于美国垄断了光刻胶行业。7nm光刻胶产业布局并进入量产，这将对中芯国际的晶圆代工摆脱美国控制提供有力的帮助，实现高端芯片国产化的梦想又更近了一步。
大家都知道，芯片制造上，集成线路是最多的零部件，而在大规模集成电路的制造过程中，有两种方法可以将将他们按照一定的路线和布局安装到有限的芯片面板上，这两种方法就是光刻技术和刻蚀技术，这两种技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，越是成熟、高端的工艺，造出的芯片则越小。
现在已经从7nm过度到了5nm的时代，而仅光刻和蚀刻这一道工序，就占了芯片制造时间的一半左右，足见得两道工艺的重要性。这当中光刻工艺要实现就离不开光刻胶，目前市面上有4种类型的光刻胶，其中的主流就是ARF光刻胶，占光刻胶市场份额的40%左右。
光刻胶技术壁垒高，其中最重要的光阻材料，其核心技术被日本和美国把持，几乎垄断了95%以上的核心技术，在企业市场这一块儿也基本只有美日韩三家的市场。
南大光电能通过自主研究，将arf光刻胶突破到7nm-28nm这个水准，已经是个相当不可思议的奇迹了。ARF光刻胶的突破，意味着我国的7nm光刻技术将得到飞跃式成长，只要有了光刻机，造7nm的芯片，几乎就没了问题。
国家自从布局光刻机研究、芯片晶圆代工以后，基本上每个月都在出自己的成绩，足以见得我国的芯片行业已经进入了一个高速发展的时期。
加上几个月前荷兰ASML宣布向我国出售DUV光刻机，以及中芯国际成熟的7nm晶圆代工技艺，就目前的情况来说，我国自主生产7nm的芯片是没问题的。
唯一的问题就在于中芯国际的技术并非全国产化，依然受到美国限制，当然我们也有理由相信我们能做出一套属于自己完整的晶圆代工技艺。
且目前美国已经松了口，很多国际芯片巨头已经恢复了对我国的正常贸易往来，经济全球化的时代谁也离不开谁，不过这一次的松口，将会给我国的芯片发展带来长足的缓冲期，甚至还能像他们学习，获得一些知识，这个窗口期对于国内芯片企业来说，简直就是春天到了。
芯片行业的好消息还有很多，比如华为在自建自己的芯片晶圆代工厂、国家发现更先进的芯片晶圆碳基晶圆，比主流的硅基晶圆强上千倍、百倍；我国突破即使封锁，实现5G射频芯片的设计与生产，此前这项技术全世界只有美国才有；三星与VIVO合作，并且VIVO首发了三星的5nm芯片；小米在美国高通公司有15%的股份，……总之这一切都向着好的方向发展，一切安好，一切向好。
