中国第一台中端光刻机是什么（我国首台中端光刻机）
中国第一台中端光刻机是什么（我国首台中端光刻机）
中国有了自己的光刻机，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。这是世界上第一台利用紫外光实现22nm分辨率的超分辨率光刻设备，为纳米光学加工提供了全新的解决方案。在光电所的努力下，我国的RD光刻机跳出了通过减小波长、增加数值孔径来提高分辨率的老路，为突破22nm甚至10nm光刻节点提供了全新的技术，也为超分辨率光刻设备提供了理论基础。扩展信息:利用超分辨率光刻设备，项目组为航天科技集团第八研究院、中国科学院上海℡☎联系：系统与信息技术研究所、电子科技大学、四川大学华西第二医院、重庆大学等单位制备了一系列纳米功能器件。包括大口径薄膜反射镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射装置、生化传感器芯片、超表面成像装置等。验证了超分辨光刻设备纳米功能器件加工能力，达到了实用化水平。
国产光刻机任重道远。“即使你给图纸，你也做不出一个光刻机。”“就算全国都发展半导体制造，也很难成功。”ASML掌门人、TSMC创始人张忠谋在过去两三年里不止一次公开表示，中国大陆自己无法成功制造光刻机。实际上，严格来说，位于荷兰的ASML公司(ASML)是世界上唯一一家可以生产光刻机的公司，但它只是一家组装公司。大量核心技术来自美国，在ASML的供应链中也有中国公司，如傅晶科技和沃尔特天然气公司。实际上，在光刻机成品方面，上海℡☎联系：电子自2002年成立以来，一直牢牢扎根于低端光刻机市场，90nm及以下工艺的产品一直在稳步出货。公开数据显示，2018年上海℡☎联系：电子出货量约为50-60台，约占大陆市场的80%。所以，以上两人的论断要加上一个前提条件，那就是“先进制造工艺”的光刻机。我们常说的高级芯片是指生产工艺小于28nm的芯片，也就是28\14\7\5\3nm的工艺。这次上海℡☎联系：电子在光刻机举行首个2.5D/3D高级封装交付仪式，标志着中国首个2.5D/3D高级封装在光刻机正式交付给客户，但对于我们目前的卡顿芯片制造来说，只是暗夜中的烛光。“1”和“0”的故事虽然近年来“光刻机”屡见报端，但很少有人提到光刻机主要分为“前路、后路、面板”三类。卡脖子的是前路光刻机，这次上海℡☎联系：电子发布了光刻机。如果把芯片制造比作食品生产，前面的路就是“食品”本身，后面的路就是包装袋。面板制造属于平时想不起来的“调味品”，但它的缺失会直接打击消费者的味蕾，给数字生活调味，因为面板是C端用户最“触手可及”的。因为没有驱动芯片，无论是前端还是后端芯片，C端用户都很难对芯片性能有直观的体验。但是，无论包装和调味品对食品有多重要，如果没有“食品”本身，它的价值就是“0”。所以要想充分体现后通道和面板芯片的价值，首先要有性能优异的前通道芯片。在以前的光刻机制造中，其实光刻机并不是按照“NM”的个数来分类的，而是按照光源的波长来分为436nm光源的“g线光刻机”；具有365纳米光源的“I线掩模对准器”;具有248纳米光源的“KrF掩模对准器”;193nm深紫外光源的“DUV光刻机”;以及13.5nm极紫外光源的“EUV光刻机”，也是目前卡脖子的主打产品。目前上海℡☎联系：电子的产品技术已经触及ArF技术和相应的光刻胶。目前，国内公司如上海新阳、通成新材料、南大光电、景瑞股份有限公司等都已开展研发和生产。其中，南大光电旗下的ArF光刻胶已于2020年底顺利通过客户验证，是国内首个通过产品验证的国产光刻胶。
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
生产集成电路的简要步骤：
利用模版去除晶圆表面的保护膜。
将晶圆浸泡在腐化剂中，失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路。
用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。
其中曝光机就是利用紫外线通过模版去除晶圆表面的保护膜的设备。
一片晶圆可以制作数十个集成电路，根据模版曝光机分为两种：
模版和晶圆大小一样，模版不动。
模版和集成电路大小一样，模版随曝光机聚焦部分移动。
其中模版随曝光机移动的方式，模版相对曝光机中心位置不变，始终利用聚焦镜头中心部分能得到更高的精度。成为的主流[1] 。
主要厂商
曝光机是生产大规模集成电路的核心设备，制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，世界上只有少数厂家掌握。因此曝光机价格昂贵，通常在 3 千万至 5 亿美元。
光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：
高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几℡☎联系：米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。
位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售。正在进行其他各系列产品的研发制作工作。
生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机，分辨率通常在数℡☎联系：米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRO NXQ4006、以及中国品牌。
众所周知，美国总是在处处对中国企业华为设限，以防止威胁到自己的 科技 霸主地位。最主要的是禁止美国企业向华为兜售芯片，意图切断华为的芯片供应链。
华为5G的出现，打破了近百年来欧美国家垄断通讯行业核心技术的局面。作为世界 科技 老大哥的美国，能不着急吗？虽然华为率先推出了5G技术，但是因为美国的阴险狡诈，切断芯片供应链。导致中国的5G技术就仿佛空中阁楼，没有扎实的地基。
中国的 科技 发展，再一次被别人掐着脖子做实验。但是中国已不再是过去的中国，这样的日子必须得到改变。为此，中国国家科学院电子研究所与清华、复旦、同济等21所高校展开合作，夜以继日地搞科研，决心做出自己国家的光刻机。有了光刻机，中国人就能制造属于自己的芯片，不用再大量的从外面购买。
我国国产首台中端光刻机投产
功夫不负有心人。我国终于成功制造出了首台中端光刻机，并且已经投入到生产之前的检测和认证阶段，只要检测通过，相信不久的将来，该光刻机就能投入使用，为我国半导体下游企业输送国产芯片。
该消息一出，立马引起了国内外媒体的关注以及14亿国人翘首以待。因为这表示，芯片制造行业要重新洗牌。
中国人拥有了属于自己的国产中端光刻机，芯片自主化不再是一句口号。作为目前市场占有率最高的企业——台积电，现在应该也感到了一丝不安。这台光刻机的研发成功，对中国的意义远远超过我们的想象。
之前说起芯片，人们第一时间想起的是英特尔。当年这个牌子广告，也陪伴了一代人的成长。其实对于中国人来说，我们还有一个不为人熟知的芯片，那就是龙芯。龙芯从成立到发展的20年，也恰恰是中国半导体行业和通讯行业蓬勃发展的20年。
在刚刚创立龙芯时，国人都不看好。认为做芯片是个费力不讨好的事情，前期投入巨大的时间、人力、财力，而且还不一定成功。但是龙芯发展到今天，在美国人对中国通讯行业进行封锁时，龙芯能够站出来为中国企业挺一把。这也让老百姓认识到一个严重的事实：中国必须实现芯片自主化，打造自己的芯片生产供应链。
将来芯片行业将有什么变化？
其实芯片的投入和回报是成正比的。芯片行业是一切工业的基础。任何高 科技 产品离开芯片，都没办法存活。不管云端技术做得有多好，硬件不行，一样歇菜。所以华为既然已经能够拥有5G技术，中国就一定要为华为争一口气，不能让自家的企业在国外到处碰壁，无法进一步发展。
但是中国发展自己的芯片，并不仅仅为了华为。中国有自己的完整工业链，而芯片的作用能够波及互联网、制造业、智能工业、重工业等等。可能对于发达的资本主义国家来说，第三产业在其 社会 占比中占大头，但是对于中国这样的发展中国家来说，工业始终是命脉。
目前世界上正在进行第四次工业革命，这一次，中国能够挤进波浪中翻涌。而在早前，德国就发布了工业4.0转型升级计划。
德国的率先发布，引起了全世界瞩目。所有国家都在谋求自己能够从第四次工业革命中脱颖而出。未来的工业一定是和智能分不开的。那么智能的基础就是芯片。如果没有芯片，何谈工业革命？
华为投资光刻机
值得一提的是，近日，华为又有了新的动作。通过天眼查显示，北京科益虹源光电技术有限公司，新增股东哈勃 科技 投资有限公司，而哈勃投资的实际控股人则是华为。那么华为为何要投资北京科益虹源光电技术有限公司呢？该公司的自然法人还包括中国科学院℡☎联系：电子研究所，说明这是一家由科研机构牵头的以生产光刻光源的公司。
光刻光源又是一部光刻机的核心零部件，所以由此可以看出华为正在向半导体上游行业进军。之前华为被美国卡着脖子，此举也是众多华为对抗美国的手段之一。如果没有关键芯片来连接5G，那么5G技术也无法支撑。过去，我们的芯片严重依赖进口。每年都要花费几十个亿在芯片上，而且是美国动不动就翻脸不认人，不论从何种角度出发，华为乃是中国一定要实现芯片自主化，自产自供自销。
此次中端光刻机落地，未来一定会在大大增加我国国产芯片的产量。国产芯片的缺口一旦被填补上，我们再也不要过分依赖于进口。当然 我们目前只能实现基本芯片自主化，未来还有很长一段路要走。
第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。
而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。
第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm。
2018年，中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机，当时预交了1.2亿美元的定金。请注意，当时这台机器还没有交付，而是下订单。
但国内市场上，其实已经有7nm光刻机。在2018年12月，SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是ASML的股东之一。
第三，目前国产最先进的光刻机，应该是22nm。
根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米。
请注意该报道的标题：“重大突破，国产22纳米光刻机通过验收。”
也就是22nm的光刻机，已经是重大突破。
22nm的光刻机，关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权。”
有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破
中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。
华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。
实用更是有很远的路要走。
大家放平心态。
中国光刻机历程
1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3℡☎联系：米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。
然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。
1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。
1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。
1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。
1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。
1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。
1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3℡☎联系：米，接近国际主流水平。
1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。
1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。
1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。
但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。
九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。
