光刻机知乎（中国光刻机知乎）
光刻机知乎（中国光刻机知乎）
作为一个企业，他肯定有他的预备方案，我们相信华为可以解决目前遇到的最大的困难，一定有充分的办法去化解这场℡☎联系：信。
研发光刻机研发涉及多个专业，光学、机械加工、电子电路、化学等。
光刻机涉及到的知识有：光学、机械加工、电子电路、化学等多个学科知识。光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。
光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
扩展资料
光刻机的发展光刻机：
光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，制造和维护均需要高度的光学和电子工业基础。
光刻机工作原理跟照相机类似，不过它的底片是涂满光刻胶的硅片，各种电路图案经激光缩℡☎联系：投影曝光到光刻胶上，光刻胶的曝光部分与硅片进行反应，将其永久刻在硅片上，这就是芯片生产最重要的步骤。
我的认知范围这是人控制的，也就是人说的对话，不是AI，因为这两个比通过图灵测试还牛逼。
如果不是人工对话，也是设计好的类似于固定模式的对话，算是目前的AI整体水平
机器人对话最牛的应该是谷歌的预定系统吧，应该不会打架吵架
别再夸大那假ai机器人了，更不要替他宣传了！
1，谷歌、℡☎联系：软以及国内最顶尖的智能语音公司科大讯飞目前的技术都无法实现那样的人工智能语音对话！！让它南京一个小公司实现了，您信吗？
2，如果您信了，可以百度这家公司的专利注册记录，如果他们真的实现了如视频中那样的技术一定会有很多、技术含量很高的专利注册记录吧？而且专利技术也是衡量一个公司产品 科技 含量高低的重要指标。对不起，截止2019年网络上到处都是他们公司机器人在银行服务的推广视频时查询，这家公司只有3项专利注册记录，且都是一般性的语音技术。大家可以自行搜索专利查询网站查询这家公司的专利。
3，如果他们真的做到了如视频中呈现的那样的技术，一定无数投资机构捧着钱前来投资，并且经过2019和2020迅速成为中国智能语音技术领先的公司，闻名世界！世界各大媒体一定会纷纷报道，因为这技术太牛了！说它牛到比谷歌阿尔法狗战胜围棋选手还强100倍也不夸张！至于这项技术怎么牛最后我来讲。可是他们并没有，甚至连国内的***都没上。
4、如此重大的“技术突破”自然吸引了业内的关注，然而业内简单察看一下后基本都是冷笑。然而爱较真的同学不信邪，与业内技术大佬在知乎上进行了撕b。于是，这家公司在招聘网站上月薪3000招聘后台语音服务人员的招聘广告连截图带链接都被扒了出来。
5，一定有人看到这里会冷笑:如果后台有人语音服务成本一定很高，商家一定是疯了，因为无法控制成本！对，正因为如此，所以这台没什么太高技术含量的机器人一台被卖到了10多万至20多万（分型号），每年服务费4到8万元[得意]至于服务费给了谁请参考上面提到的月薪3000的后台语音服务人员。
6，最后谈一谈人工智能语音技术最难攻克的问题: 情感 和幽默。
曾经担任℡☎联系：软副总裁的李开复在几年前在参加《奇葩说》时曾说过，人工智能可以取代很多人的工作，但艺术创造类、 情感 表现和幽默感方面在可看到的未来基本还很难解决。也就是说人工智能可以深度学习，你输入规则，给它看遍全球所有书籍，让它毫秒级调出书中答案告诉你都可能实现（现在还无法实现人类察觉不出的速度，都会有延迟，所以视频中那样毫无延迟的问答和对话绝不可能），但它无法读懂人类的哀伤、不悦、心动、开心等 情感 ，他也无法拥有这样的 情感 ，因为 情感 是很℡☎联系：妙的表现。至于幽默更是如此，人类的一些幽默常常出现谐音梗、一语双关等，有时甚至语调的变化也能制造出幽默感，而机器和程序只能读懂最基本的原有的意思，却无法读懂它蕴含的言外之意、深层意思。这也是困扰全球科学家多年的最大问题！
但是，南京这家公司的机器人又是插科打诨，又是跟对话者玩各种套路，您觉得可能吗？？？
所以，如果这家公司真的实现了上述技术，将对全球人工智能领域意味着什么已无需多言。真的突破了这项技术他们能拿诺贝尔！！！可惜并没有，也不可能，因为是后台人工服务的假人工智能。
别再帮他们转发吹牛了，真的吹大了传到国际上又是一个丢人的大笑话！！
查一下他们产品说明就知道了[捂脸]是远程人工语音应答服务。每个月银行要给机器人公司人工语音服务费的[泪奔]也就是远程客服服务啊，新行业来的
很简单的的问题有啥好讨论的，是真是假验证一下不就行了，多位数乘除法自己先算好答案，然后问机器人，接着回答的肯定是真的，如果不会或者需要时间才说答案的妥妥的人工，就这么简单以后谁碰到这种机器人一问便知。
只说一句话，如果这机器人是ai，这个公司的市值等于全球互联网前50的总和还要多，℡☎联系：软，谷歌在这ai面前就是个自行车和光刻机的比照。
你们没用过手机助手吗？没见过小爱音响与小度音响拌嘴吗？音响后边也有人控制吗？
美国汉森公司所开发的Bina48。这个人形机器人的原型是一位叫做比那阿彭斯的美国人，这也是 历史 上第1个完成了大学课程的机器人。在2015年的时候，科学家做了一个有趣的实验，就是让Bina48与人工智能进行对话。
在整个实验过程中，科学家不会对他们沟通的内容进行干涉，选择与Bina48进行沟通的便是大家都熟悉的Siri。本来很多人是抱着好奇的态度观看这场实验的，但没想到他们的谈话内容竟然引起了科学家的震惊，一开始各种问话都非常正常，但是到了后来，他们的对话却脱离了人类的想象。
去搜这个机器人当时对话的视频看看吧，这个机器人除了说想黑入军方系统控制核武器，还有更恐怖计划。。。
马斯克，比尔盖茨，霍金都不赞成发展自我学习型人工智能。
居然有人相信，这样的思维，这样的对答，肯定是人为操作的，咱还没见过哪国的机器人高 科技 已经达到这种程度。
就是远程人工坐席客服，冒充什么AI机器人，在网上不止一次被人刨祖坟挖底了，现在最牛逼的AI技术还不能超过5岁儿童的能力。一个滥竽充数的会移动的话筒也敢冒充机器人。我呸.....，为这些无底线的所谓技术公司不耻。
这种对话早年手机里的汤姆猫就有了，我不信会有两名银行服务员专门在后台吵架玩儿
姓名：李沈轩 学号：20181214373 学院：广研院
【原文链接】 7nm 制程工艺如何实现？ - 知乎 (zhihu.com)
【嵌牛导读】本文介绍了7nm制程工艺是如何实现的
【嵌牛鼻子】7nm制程工艺
【嵌牛提问】7nm 制程工艺如何实现？
【嵌牛正文】
本文主要就7nm 制程工艺中各特征尺寸是如何通过光刻技术实现作说明，而对于7nm 制程工艺中其他的应变硅技术(strained silicon)、HKMG技术等不作讨论。
首先我们看一下7nm 工艺制程的特征尺寸和工艺参数，找出其中最小的特征尺寸，比如 fin width 6nm, fin pitch 27/30nm，gate length 8/10nm，minimum metal pitch 36/40nm，gate pitch 54/57nm，我们需要考虑的问题就是如何通过光刻工艺来实现这些特征尺寸。
目前可以实现7nm 制程的只有台积电和三星两家，三星是从一开始就使用EUV光刻机来实现，而台积电则是从DUV开始实现，然后再转向EUV 。也就是说，目前7nm 制程工艺使用DUV 和 EUV 都是可以实现的，下面就DUV 和 EUV 两种设备的实现方法分别说明。
关于光刻机的分辨率不再作过多介绍，DUV设备以可以实现最高分辨率的是 ASML 193nm DUV光源、 NA 1.35的浸入式光刻机（immersion），设备型号一般是从NXT1950到 NXT2000。对于这一特征波长和NA的光刻机， 能够实现的分辨率极限就是38nm ，单次曝光形成的图形是不可能小于这个极限值的。
那么如何使用分辨率极限为38nm 的光刻机来实现7nm 制程工艺呢？
最主要的两种方法就是双重曝光技术(double exposure，DE) 和自对准双重成像技术 (self-aligned double patterning, SADP)。双重曝光就是采用两次分别曝光不同图形，两次曝光图形的叠加来实现更小的分辨率，当然必要的时候也可以三重甚至是更多重图形的叠加来实现更小的分辨率。双重曝光的缺点是增加了光刻工艺的使用，并且对每次光刻图形之间的套刻误差(overlay)也有更高的要求，因此增加了工艺的复杂度和成本。
相比较而言， SADP 技术就要简单得多，SADP 技术可以相对轻松地实现光刻图形尺寸减缩小一倍，也就是说使用上述DUV 光刻机结合SADP 技术是可以实现20nm 的图形。上文中7nm 工艺参数中的 DP(193i) 指的就是使用193nm immersion 光刻机和SADP 技术。
我们找到了台积电7nm 的Design Rules, 可以看到7nm 制程工艺总共用到了13个金属互联层，M0~M12，其中Fin是最小尺寸(6nm)，使用了SAQP技术（后续介绍）；然后是Poly ,也就是多晶硅 Gate 工艺 ，以及前端的几个线宽比较小的金属互联工艺 M0~M4 都使用到了SADP 技术。
如下图所示
1）Litho: 首先在做有硬掩膜版（HARD MASK ）的wafer 上使用光刻工艺一次曝光得到 40nm 的光刻胶图形；
2）PR-Slim: 然后通过刻蚀工艺使得光刻胶图形宽度缩小约一半；（此步骤并非必须，根据实际工艺设计而定，下图示例中pattern的间隔是1：1，因此需要PR slim 过程，这样在后续的沉积SiO2工艺后，光刻胶周围的侧壁之间才有足够的间隔空间；常规的SADP 工艺中pattern的间隔一般是1：3，SADP 后形成的图形是1：1，这样就不需要 PR slim）
3）SiO2 depo: 然后在光刻胶图形上沉积SiO2 薄膜；（一般使用ALD 沉积工艺）
4）Spacer Etch: 分别刻蚀掉表层的SiO2薄膜，使得SiO2 覆盖下的光刻胶显露出来；再使用另外一种只刻蚀光刻胶的刻蚀工艺将中间的光刻胶刻蚀完，这样就留下了光刻胶图形两侧的侧壁，成为新的模板，并且实现了PITCH缩小一半；（使用不同化学成分的等离子体刻蚀可以实现不同材质的选择性刻蚀）
5）HM Etch：使用上述留下的侧壁作为掩模版，再向下刻蚀，就可以将图形转移到Hard mask 上；
6）Clean: 最后再清洗掉表层的SiO2/ARC 等，就得到了特征尺寸为20nm的图形，图形间隔为1：1，实现了分辨率缩小一半的结果；,
所以在使用DUV 光刻机实现20nm pattern 时，SADP是一种简单有效的方法。但是SADP 也有自身的问题，比如分辨率缩小是通过将一个线条复制成两个相同的更小的线条，也就是新生成的两个线条形状是一模一样的，所以这种方法只适用于图形相对简单，并且具有很多重复性结构的图形。
同时，新生成的图形是一个闭合的环形结构（下图patterning step2 所示），因此SADP 生成的图形还需要一道切割的工艺，去除掉图形中不需要的部分；如下图所示，所以为了实现我们所需的最终图形，其实是将图形拆分成两部分来设计，两部分图形的最终组合才是我们所需的图形，因此SADP 工艺中图形的拆分也是一个复杂的工序。
然后是 SAQP (self-aligned quadruple patterning) 技术，来实现7nm 制程工艺中线宽最小的Fin 结构。SAQP 与 SADP 非常类似，相当于在使用完一次 SADP 技术以后，再使用一次SADP，这样就可以实现线宽的四倍缩小，也就是实现10nm 图形。
下图是使用SAQP技术来制作Fin 结构的流程图，最初光刻形成的4个pattern 在经过SAQP工艺后变成了16 个pattern, 并且尺寸也缩小为原来的1/4。Fin 作为 Finfet 集成电路的基础单元，具有高度简单的重复性，因此非常适合使用SAQP 技术。
同时Fin 结构本身具有较高的高宽比，因此在Fin 刻蚀工艺的时候，会形成下图中的楔形形貌，从而使得Fin 顶端尺寸比SAQP工艺形成的最终掩模尺寸更小，进而在最终产品中形成线宽为 6nm 的Fin 结构。
7nm 制程工艺Finfet 中Fin 的电镜图，顶端宽度约为6nm 。
至此，使用DUV 光刻机借助 SADP/SAQP 技术实现7nm 制程工艺中关键尺寸的实现就讲完了，接下来介绍使用EUV 工艺实现。
EUV 光刻机得益于使用13.5nm EUV 作为光源，单次曝光的分辨率极限可以达到13nm，因此在7nm 制程工艺中的特征尺寸基本单次曝光（Single Expose）就可以完成。EUV 同样可以使用SADP 技术，实现更小的特征尺寸，使得芯片制程工艺向5nm/3nm 继续发展。
下图是DUV 和EUV 在实现更小的特征尺寸时的方案：
虽然DUV 和 EUV 都可以实现7nm 制程工艺，但是 EUV 相比DUV 是更具技术优势的，EUV 具有更好的成像质量，以及更少的工艺步骤，而工艺步骤的减少对于成本和最终良率都是非常有利的。
下图是不同工艺节点使用的光刻工艺step 数和套刻误差step 数的对比，从28nm 到7nm , 使用Immersion DUV 设备的光刻工艺step 数增加到了34次，套刻误差step 数达到了60 个以上，如此高的工艺复杂度对工艺整合是个巨大的挑战，同时也大大提高了最终产品良率损失的风险。因此继续使用Immersion DUV 设备进行7nm 以下制程的开发已近乎不可能了，或者说开始不具备实际经济效益了。
而EUV 的引入，大大减少了工艺的复杂程度，7nm EUV 所需光刻工艺step 数和 20nm DUV 的step 数差不多，因此EUV 的引入使得7nm 以下制程的继续开发成为可能，摩尔定律也得以继续存活。
下图是 ASML EUV roadmap, 随着EUV 设备 NA 的增大，可以使得EUV 的最终分辨率达到小于 7nm, 从而使得2nm 制程也成为可能。
至此，通过DUV和 EUV 实现 7nm 制程的光刻工艺实现就全部介绍完了。
虽然通过更好的光刻设备可以实现更小的特征尺寸，但也并不是只要拿到好的设备就可以轻松实现，为了实现设备的分辨率极限，我们还需要使用一系列复杂的分辨率增强技术。同时随着器件特征尺寸的减小，单个器件也需要重新设计以解决器件尺寸缩小带来的短沟道效应(short channel effect, SCE)、热载流子注入效应（hot carrier inject, HCI）以及栅氧化层漏电等问题。
文 | 特约作者张小星
编辑 | 浅夏
来源 | 新10亿商业参考
（ID：xsy-shangyecankao）
三年前，武汉弘芯成立，扬言投资1280亿研发芯片，欲比肩台积电，掀起一场轰轰烈烈的造"芯"运动；
三年后，烧完153亿元，武汉弘芯工程停滞，几近烂尾，分包商、工人被欠款后，投诉无门。
其幕后大股东从业经历与半导体无半点关系，竟撬动了千亿半导体项目，获得武汉政府垫资。
国内芯片产业似乎进入大跃进阶段，"弘芯"事件并非个例。成都格芯、南京德科码、贵州华芯通、山西坤同半导体……不少半导体项目烧了巨款后，归于沉寂。
半导体是个回报周期长，资金需求量巨大的产业，只能稳中求进。"弘芯"过后，国内造"芯"事业，再次迷航。
01
千亿项目"弘芯"停摆
中美博弈风口浪尖上，芯片国产化成了当务之急。芯片风口下，国内芯片投机分子蠢蠢欲动，借机挥下镰刀。
近段时间，投资额高达1280亿元的武汉重点项目武汉弘芯曝出"烂尾"，事件引发 社会 高度关注。
2017年11月，武汉弘芯出世。据介绍，该项目聚集了全球的半导体晶圆研发制造专家，拥有先进的逻辑工艺和晶圆级先进封装技术经验，未来预计建成14纳米和7纳米两条逻辑工艺生产线，月产量均达到每月3万片，且员工人数至少达到1000人规模。
要知道，现在能够实现7纳米芯片量产的企业只有台积电与三星， 武汉弘芯一上来就直接把自己定位在了全球第三的位置。
除此之外， 弘芯还请来了台积电创始人张忠谋的左膀右臂、台积电"二号人物"蒋尚义出任CEO。
在台积电多年任职期间，蒋尚义曾将研发团队从400人扩编至7600人，打造出世界级研发团队，引领台积电从技术追随者为技术领导者，是名副其实的"行业大牛"。
恰恰由于蒋尚义坐镇，不少台积电人才转向大陆。去年以来，大陆从台积电挖走100多名经验丰富的工程师和管理人员，其中有一半去了武汉。
有国内媒体曾援引《日经亚洲评论》报道称， 弘芯提供的工资待遇超出想象，是台积电薪酬和奖励总金额的2~2.5倍 。
这一度让台积电十分紧张。
蒋尚义加持下，弘芯又购入了价值6亿元的EUV（极紫外线）光刻机，这个光刻机仅荷兰ASML才可以生产，台积电和三星的光刻机也都来自ASML。
EUV光刻机稀有昂贵，有消息表明中国仅购买了2台，武汉弘芯就成功拿下1台，这让它一时间晋为芯片界明星项目。
在2019年底ASML光刻机进厂仪式上，背景板上写着"弘芯报国，梦圆中华"。
2018年、2019年，武汉弘芯连续入选湖北省级重点建设项目，风光无限。
2020年4月武汉市发改委发布的《武汉市2020年市级重大在建项目计划》中，武汉弘芯半导体项目仍然以1280亿元的总投资额位列第一， 截至2019年底已完成投资153亿元，2020年计划投资87亿元。
但就在大家抱以无比期待的2年等待后，等来的却是弘芯的爆雷。
今年6月，媒体传出蒋尚义萌生退意，他对外回应的是"公司是有些问题待解决"。
紧接着，7月30日，一份来自武汉市区政府网站意外披露的消息，将武汉弘芯推至风口浪尖，网站中关于投资建设的报告显示， 武汉弘芯项目"存在较大资金缺口，随时面临资金链断裂大致项目停滞风险"。
该报告还指出，弘芯二期用地一直未完成土地调规和出让，项目缺少土地等材料，不能上报给国家发改委窗口指导，导致其他股权基金无法导入。
资金捉襟见肘，欠款丑闻甚嚣尘上。
武汉弘芯拖欠总包商武汉火炬建设集团有限公司数亿工程款，还拖欠了分包商武汉环宇基础建设公司4100万工程款。
被二者诉至法庭后，弘芯公司账户因此冻结，二期价值7530万元的土地使用权被法院裁定查封三年。官司还在进行中。
针对此事，武汉弘芯去年11月公开声明，公司按期足额支付总承包商火炬集团工程款，而火炬集团与武汉环宇间属于内部结算纠纷。
至此，拖欠分包商工程款、工人工资，款项至今没有着落，武汉弘芯几近停摆，千亿项目灰飞烟灭。
其实，在爆雷之前，弘芯已有迹象，这直接体现在员工招聘和收入上。
去年起，网上百度贴吧和知乎上很多准员工称收到offer后，公司迟迟没有通知入职，现有员工公积金缴纳比例也从12%降至8%。
另外，有记者发现武汉弘芯"作假"，其购买并不是光刻机EUV，而是DUV（深紫外光）光刻机。
如今，这台光刻机在"全新尚未启用"的情况下，就以5.8亿抵押给了银行等着落灰。
而弘芯现有员工因为无法投入生产，只能每天坐在办公室写写PPT。
02
弘芯背后神秘丽影
回顾三年前武汉弘芯诞生之际，扬言要在国际芯片市场上弯道超车，凭借起步7nm工艺技术，一举比肩台积电。眼前的弘芯壮志未酬，身先死。
弘芯幕后人物一直像影子般存在。天眼查显示，武汉弘芯注册资本20亿元，目前实缴资本为2亿元。
这2亿元全部来自于持股10%的股东之一武汉临空港，武汉临空港的钱是武汉东西湖区国有资产监督管理局出的，也即国有资本。
而 持股90%、需提供18亿元的大股东北京光量蓝图 科技 有限公司实缴资本却为0。
20亿注册资本一分没出，空手套白狼。在此之下，政府资金一旦烧完，资金链立刻崩溃。
北京光量蓝图非常神秘，公司成立于2017年11月2日，早于武汉弘芯半个月。公司成立之初，龙伟、曹山均是分别任董事长和董事，在2019年1月两人从武汉弘芯董事名单中退出，之后李雪艳出任董事长、莫森进入董事。
据了解，曹山本身从事半导体行业，担任6家半导体公司法人、执行董事职务，布局半导体行业两年多时间。由此看出，光量蓝图一开始具备从事半导体能力。
然而，当曹山退出后，光量蓝图成了名副其实的空壳公司。李雪艳原先投资生态 科技 、买烧酒、办餐饮、盖园林，从业背景与半导体无半点联系，创办武汉弘芯前半个月创立了光量蓝图，项目至今未投入任何资金，一直在烧政府的钱。
而莫森则未查到任何与半导体有关的从业背景。
两个从未接触过半导体的人，竟然做了一千多亿的半导体项目，令人匪夷所思。
剥开迷雾，结合前文层层梳理，也即 李雪艳等人成立了空壳公司光量蓝图，再通过空壳公司拿到成都政府重点项目武汉弘芯，弘芯又通过总包商"武汉火炬建设"将债务和风险转移给了待贷款银行、分包商和供应商。
如此一来，他们不投资便获得一大笔收益。
去年7月和11月，光量蓝图因未及时公布年报和登记经营场所无法联系，被列入经营异常名录企业。
再看武汉弘芯，即便该公司股权结构清晰，细究之后也是疑窦重重 。两位离开的关键人物中，曹山从业背景已介绍过，而龙伟实则是庆安贸易总经理、法人。
庆安贸易曾投资过成都海威华芯 科技 有限公司，早就开始布局芯片产业，武汉弘芯是其第二次投资人芯片项目。
公司在龙伟之前的投资人为刘亚苏，关于此人的相关新闻中常见军方背景，再加上庆安贸易名字与军工企业庆安集团高度关联，可见庆安贸易并不简单。
有媒体在文章中也用了 "传闻称弘芯背后大股东资金来源或具有军方背景" 的话加以描述，武汉弘芯并未给予过回应，更显其神秘性。
"烂尾"消息曝出，被寄予厚望的民族企业瞬间成了骗局，政府、承包商、供应商、工程师、员工惨遭重击。让人唏嘘不已。
03
国内半导体"大跃进"
中国的芯片设计企业数量世界第一，实际设计水平也达到世界第二名。但制造是短板，很多材料全部依赖进口。
2019年，中国芯片进口额高达3040亿美元，远超排名第二的原油进口额。
经历过华为、中兴事件后，中国未来加大芯片领域投入，除了相关免税政策外，还牵头创办实验室，很多大基金趋之若鹜。
中科院表示，美国"卡脖子"清单变成科研任务，将进行全面布局。在此背景下，若中国芯片能崛起，可谓是"涅槃重生"。
但资本家们纷至沓来，引起的却是大量企业在全国各地画大饼、投资圈钱圈地，地方政府忽视项目真实情况，虚假项目大行其道，爆雷事件接踵而至。
记者采访了行业观察者张昊（匿名），其表示"一个未来存在很大机会的行业，肯定会引来很多人投资发展"。
近两年，类似武汉弘芯爆雷事件的还有：
另据《瞭望》报道，在短短一年多时间里，分布于我国江苏、四川、湖北、贵州、陕西等 5 省的 6 个百亿级半导体大项目先后停摆。“芯骗”坑国的武汉弘芯们还在继续……
国内造"芯"事业屡屡遇阻，张昊表示，"其实多年前也有过很多类似的失败案例，只是近期发生的事件频频被爆出，才感觉很多。"
针对这些被看做"骗局"的半导体项目，"一些项目一开始想得过于远大，中途发现做芯片难度太大，自身研发能力不足，最后做不下去了。"从而演变成骗局。
半导体及其耗资且回报周期长，需要一代人二三十年沉下心做研究，国内第一芯片代工厂中芯国际，苦熬20年才实现14nm工艺产量，新生代企业挑战7nm工艺，谈何容易；中科院换道 探索 20年研发出碳基芯片也绝非一蹴而就。
反观国内投资，多数追求短期回报，一些项目借此大肆圈钱。
还有一种情况，"项目方根本没有做好准备，想利用政府资源整合，获得融资发展机会，到最后发现做不下去了。"还有一种可能， "或许从最初就是一场骗局。 "
数据显示，中国在2019年仅本土生产了其国内使用所需半导体的16％，可见，距离实现半导体行业的自给自足和全球领导地位的目标还很遥远。
动辄以十年计算回报周期的芯片行业，单靠政府土地优惠政策远远不够，企业在没有盈利前，"活下去"才是战略重点。
最近这段时间美国的禁令让中国整个半导体行业都蒙上了一层阴影。
差评君相关的文章也写了不少，大家在评论里问的比较多的问题是： 美国这样制裁芯片，我们到底有没有办法自己研究出来？
毕竟在几十年前最艰难的时期，前辈科学家们靠着算盘，都造的出原子弹， 现在面对这个小小的芯片，真就无能为力了吗？
在讲结论之前，差评君先给大家说说最近 武汉弘芯半导体 爆出来的事儿，捋完一遍之后，再来聊聊我的看法。
事情是这样的。
武汉有一家叫弘芯半导体的公司，最近被爆出因为资金问题，很有可能运作不下去了。
要说一般的企业经营不善，倒闭破产是再正常不过的事情，但在半导体这个比较特殊的行业中，这无疑是一个重磅炸弹。
弘芯半导体成立于 2017 年 11 月，作为国内为数不多的芯片企业，他们在成立之初，也喊出了相当响亮的口号。
根据弘芯官网的描述，他们的野心真的不小▼
上手就 14nm 工艺，紧接着就 7 nm ，还要达到每月 3 万片的产能，这对于一家刚起步的芯片企业来说，着实是个不小的挑战。
为了达成这个目标，去年的时候弘芯也是秀出了一系列骚操作，他们先是把台积电前运营长 蒋尚义博士 请来当 CEO 。
这位老人家可谓是芯片界的传奇人物，今天的台积电在国际上能取得这样的技术优势，离不开他的努力，弘芯请他过来坐镇，看来是铁了心要啃下芯片代工这块硬骨头。
接着，弘芯又花了大价钱，把荷兰 ASML （ 阿斯麦尔 ）公司的光刻机买了进来，这台型号为 1980Di 的光刻机，理论最小能支持 10nm 以内的芯片制程。
为了迎接这台价值连城的光刻机，弘芯还专门为它搞了一个进场仪式，背景板上赫然写着 “ 弘芯报国、圆梦中华 ” 八个大字，让人热血沸腾。
资金方面，在今年武汉市发改委的《 2020 年市级重大在建项目计划 》红头文件中，武汉弘芯的半导体的总投资达到了 1280 亿人民币，首期投资为占到了先进制造业项目的最大头。
人才、器材、钱财、 全都到位了，就在所有人都觉得弘芯也能像中芯国际那样能整出点干货的时候，出事情了。
雷声大雨点小，才刚过了一个月，弘芯就把刚引进的 ASML 1980Di 光刻机给抵押了，并以此向武汉农村商业银行贷款了 5.8 亿人民币。
更蹊跷的是，在抵押信息的状态一栏写着的 “ 全新尚未使用 ” ，让人不禁浮想联翩。。。
刚引进没多久，用都不用就把机器给抵押了，是有多缺钱才会这么干？这波℡☎联系：操差评君实在是没看懂。
根据知乎网友 @ 水果简笔画 的爆料，弘芯这个项目账上的钱并没有看上去的多，仅仅是在场地建设方面就似乎拖欠了很大一笔钱。
巧合的是，在天眼查也能搜索的到，负责该项目的施工单位 环宇基础工程有限公司 确实以合同纠纷的案由，在今年将 弘芯半导体 和总包商 火炬建设公司 告上了法庭。
尽管弘芯在之后发出了澄清声明，表示媒体说的那些都是假的，大家别去相信，但并没明说，具体哪些信息是不实的。
此外，网上不少收到了弘芯 offer 的准员工也在抱怨公司一直在拖延入职的时间。
整个公司似乎在向着 暴雷 的方向发展。。。
我们没办法知道这背后到底发生了什么，差评君也没办法下定义，但从这件事情中能看出中国大陆的芯片产业，确实存在问题。
国外的行业媒体也对弘芯这样的企业抱着谨慎的态度，他们认为 中国大陆在芯片制造方面的资金投入以及人才引进确实是很大的优势。
但如果没有足够大量的基础人才储备，而又同时运行几个大型的芯片制造项目的话，要赶超一线这基本就是痴人说梦了。
虽然我们花了重金请了行业内顶尖的人才，但是基础的芯片工程师却严重匮乏。
这不是差评君在危言耸听，大家有渠道的问问学校℡☎联系：电子专业的学生还从事℡☎联系：电子行业的比例就知道了，低的吓人，优秀的人都去了互联网行业，这样怎么能让我们的芯片产业活起来呢？
那为什么我们国家℡☎联系：电子专业的人才都涌入到了互联网行业， 有一个关键原因 —— 资本。。。
如今发展的最好的互联网产业，在 场地、设备引进、人才储备 方面并没有严苛的要求，甚至只需要租一间办公室、有一个不错的想法，就有投资人提着大桶大桶的钞票过来，给你投钱。
就比如像前两年的共享经济，概念炒的火热，ofo 出来之后更是被资本无限看好，以至于整个行业迅速膨胀。
正因为膨胀的快，资本积累就越快，资本本身是趋利的。在那段时间，只要你有关于共享经济的项目书，喝杯咖啡的功夫就能和投资人把融资给签了。
再往后，盘子越铺越大，资本也越吹越大，当市场认清了共享经济的本质之后，泡沫就破灭了。。。
不同于互联网，实体制造业本身并没有能吹的天花乱坠的好故事，摆在面前的就只有各种各样的预算表。
人力、场地、研发、原材料、物流、供货渠道 每一个关节都需要靠钱砸开，每一分利润都赚的明明白白。
最关键是它资本积累的速度慢啊，等一家实体企业做大，那边互联网企业估计已经膨胀完好几轮了。
投资方割了韭菜收了钱就跑，无缝切换下一家， 这不比制造业香？
而当某个行业的投资者变少的时候，从业者的待遇就可想而知了，连饭都吃不饱，谁愿意累死累活去研究芯片？
想象一下，如果你是学℡☎联系：电子专业的，大学毕业之后你留在实验室和导师一起搞研究，每天累死累活每个月就拿个几百块钱的补贴。
而你的同学则早已看破红尘、剃度防秃，去了每天 996 的互联网公司，尽管也是累死累活，但上手就能拿到 2 万、3 万的工资。。。
基础人才如果给不到应有的待遇， 那他有什么理由不去薪资待遇更好、工作更轻松、技能门槛更低的行业呢？
原本好好的半导体人才，就因为资本的走向而流失掉了。
做芯片就好比建大楼，我们虽然能花钱给我们搭钢架，但是没有混凝土填充进来，这个楼依然盖不好。
这基础人才的事情估计要通过几年，十几年来慢慢修复，可如果弘芯项目就此垮掉的话，破坏力可比一般人想像的要大多了。
像蒋尚义博士这样的高端芯片人才，经过这个事件，还会不会对中国大陆的芯片企业有信心呢？
那从台积电高薪挖来的那几十个高级技术专家，又会怎么看待大陆的芯片产业？
是不是以后连花钱搭建钢筋都变得遥不可及了？
这些问题谁也说不好。
目前看起来，芯片产业想好好搞，通过 国家主导、政策扶持是肯定没错的 ，当年不论是日本还是韩国的半导体崛起，都少不了这关键的一环，光靠某个资本集团，本质是掀不起什么风浪的。
当年德州仪器想要在日本设立独资公司，打入日本市场，日本政府提出 “ 拿技术来换市场 ” ，德州仪器被迫和索尼组成了合资企业，并在三年内公开了技术专利。
70 年代，日本政府还联合过 三菱、日立、 NEC 、东芝、富士通 等 科技 公司，共同攻坚 超大规模集成电路 ，总投资超过了 2.4 亿美元 ，通过三年的努力，最后获得了 1210 件新型专利，已经能够和美国技术抗衡了。
40 年前的 2.4 亿美元，真的很难想象了。。。
台积电创始人张忠谋在 2018 年接受媒体采访时也表示过，中国大陆完全有能力不依靠欧美，独立发展半导体设计。
不过在芯片制造这块儿，制程技术的进步并不是说一下子花很多钱就可以做成的，它需要时间的沉淀和经验的积累，没法迅速赶超。
试玉要烧三日满，取材须待七年期。
正是因为这样，我们更是急不得。慎思之、缓行之、徐图之、有计划的攻城略地。
不能因为美国掐了我们脖子，就开始想要一口吃成个胖子，否则噎死的有可能是我们自己。
