光刻工艺技术年终总结（简述光刻工艺的过程及作用）
光刻工艺技术年终总结（简述光刻工艺的过程及作用）
光刻工艺主要步骤
1. 基片前处理
为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，
2. 涂光刻胶
涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。
3. 前烘(软烘焙)
前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。
4. 对准和曝光(A＆E)
保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。所以，涂好光刻胶后，第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。
5. 显影
显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。
6. 后烘(坚膜)
经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。
7. 刻蚀
刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。
8. 去除光刻胶
刻蚀之后，图案成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，必须从表面去掉。
光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。
光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1℡☎联系：米线，即光刻的分辨线宽为1℡☎联系：米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1℡☎联系：米的℡☎联系：细布线，使光刻技术达到新的水平。
一种将掩膜版的图形转移到衬底表面的图形复制技术，光刻得到的图形一般作为后续工艺的掩膜。
（光致刻蚀剂）是由高分子聚合物、增感剂、溶剂以及其他添加剂组成的混合物，在一定波长的光照射下，高分子聚合物的结构会发生改变。
正胶显影液：碱金属水溶液，如NaOH/NH4OH/TMAH
负胶显影液：有机溶剂，如二甲苯等
氧化层上的正胶：硫酸：双氧水=3:1
金属上的正胶：有机溶剂，如丙酮
氧化层上的负胶：硫酸：双氧水=3:1
金属上的负胶：氯化物溶剂
变性的光刻胶（如作为注入或刻蚀掩膜的光刻胶层）：氧等离子体
0.粘附性处理：硅片暴露在六甲基二硅胺烷HMDS蒸汽中，增加光刻胶与硅片的粘附强度
1.匀胶：硅片真空吸附在离心式匀胶机上高速旋转，把滴在硅片表面的光刻胶涂覆均匀
2.前烘：加热蒸发光刻胶部分溶剂，使光刻胶层初步固化
3.对准和曝光：转移图形
4.显影：把硅片放在显影液中溶解去掉正胶光照部分或者负胶非光照部分
5.后烘：加热硅片使光刻胶中的溶剂进一步蒸发，提高掩膜效果
光刻技术主要应用在℡☎联系：电子中。它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，裸露出半导体；之后对裸露出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉就得到了想要的图形。光刻技术在℡☎联系：电子中占有很大的比重，比如℡☎联系：电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。
光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细℡☎联系：的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。
我来总结一下：）
光刻就是在纳米级别℡☎联系：小尺寸下照相的技术。
波长在几百纳米的光，通过刻有几何图形的板子，在硅片表面成像，并将相应的几何图形印到硅片表面。
这就是光刻。
蚀刻是光刻工艺中的一个过程。通过在硅片表面掺杂各种导电的离子，使光刻时投影到硅片表面的几何图形带有电气特性。
