光刻机制程和精度区别是什么（光刻机制程和精度区别是什么呢）
光刻机制程和精度区别是什么（光刻机制程和精度区别是什么呢）
刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。
“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。
“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。
扩展资料：
光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动
1.手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；
2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；
3.自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
参考资料：百度百科-光刻机，百度百科-刻蚀
简单一点解读，两种机器:
首先工艺不同:刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上;
其次难度不同:光刻机的难度和精度大于刻蚀机。
蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备。
不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为
核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。
刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中
标注好的线路。
光刻机采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。那么光刻机性能指标是什么呢？
1、 光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
2、 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。
3、 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。
4、 曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
5、 曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。
以上就是给各位带来的关于光刻机性能指标是什么的全部内容了。
