中国的光刻机现在达到22纳米。在上海微电子技术突破之前,我国国产光刻机还停留在只制造90nm芯片的阶段。这一次中国从90nm突破到22nm,意味着光刻机制造的一些关键核心领域实现了国产化。掌握核心技术的重要性不言而喻。突破关键区域后,高阶光刻机的RD速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁,成功研发22nm光刻机。中国芯逐渐崛起。随着信息社会的快速发展,手机、电脑、电视等电子设备变得越来越“迷你”。从以前的“手机”到现在只有几个硬币厚的时尚手机,从老式的矮胖电视到现在的轻薄液晶电视,无一不离开集成电路的发展,也就是我们通常所说的“芯片”。自从1958年世界上第一块集成电路问世以来,体积越来越小,性能却越来越强。光刻机是半导体芯片制造行业的核心设备。以光刻机为代表的高端半导体设备支撑着集成电路产业的发展,芯片越来越小,集成电路越来越多,可以把终端做得小而精致。2002年,光刻机被列入国家863重大科技攻关计划,由科技部和上海市共同推动成立上海微电子设备有限公司(以下简称“SMEE”)。2008年,国家启动了“02”重大科技项目,持续攻关。经过十余年的研发,我国基本掌握了高端光刻机的集成技术,部分掌握了核心部件的制造技术,成为集光学、机械、电子等多学科前沿技术于一体的“智能制造行业的珠穆朗玛峰”。
就是最近我们国家的中科院在5纳米激光光刻的技术上面有了成功的突破,不过这个消息出来以后,有的媒体对这件事情解读就太过于荒诞了,在这里有必要要说清楚一些情况。
技术层面的突破是一件好事,可是纸面上的技术要运用到实践上面,还是需要一个很长的流程,而且没有更多的产业链支持也无法完成。就好比你造一个冰箱一样,你有造冰箱的技术,可是冰箱的整体框架总需要人加工吧,还有其他一些细小的零部件,总需要人提供吧。这些都是需要一条产业链的支持,不是有技术就可以的,产业链里其他的生产技术达不到。那也无法去完成。
而且这样的技术,虽然已经在理论上面有所突破,可是还得需要在实践过程中累积经验才能够生产,因为芯片生产涉及到了波长稳定性,还有精准性等等因素影响的。因此工艺上的经验累积也十分重要。不然生产出来的芯片良品率会不稳定。
另外还有一点就是媒体错误理解了一个概念,那就是中科院突破的5nm狭缝电极并不是芯片制造的都所有技术,这是一天很漫长的道路,而且激光光刻机用于工业上面也不合适,只适合用来做实验。打个比方把芯片当成一个图片还看待的话,那么euv的光刻机是可以一次拍照成型,可是激光光刻机复杂程度就高了许多,还需要一条条按照线路来刻。因此在效率上来说根本不适合在工业生产之上使用。
因此中科院这一次技术突破不会对半导体产业有太大的影响,不过蚊子再小也是肉,也能作为一个技术储备,将来能够用作研发经验来便于新的技术开发。因此投入生产使用现在来说是不可能的。
前些年华为缺芯事件闹得沸沸扬扬。如今华为自主研发芯片让国人为之自豪,但是又有一个问题难道不可以自己制造芯片吗?我们要知道制造芯片需要使用光刻机。但是纵观全球芯片公司,有这个技术和设备的只有三星公司了。它既可以自主研发又可以制造芯片,基本上垄断了行业芯片。但是反观中国目前的光刻机仍不能达到制作高端芯片的要求,技术还很落后。
一、如今国内光刻机能达到多少纳米的工艺制作?
查询官网可以知道,如今最先进的光刻机是600系列,光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米。但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机,最高可以达到5纳米的工艺制作。而且即将推出3纳米工艺制作的芯片。但是据相关信息透露,预计我国第一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付。尽管国产光刻机仍与ASML的EUV光刻机还有很大的距离,虽然起步晚,但是国人的不断努力,仍会弯道超车。
二、国内公司可以自主购买EUV光刻机来解决这一现状吗?
答案是否定的。要知道华为缺芯事件就是美国从中作梗,更不可能让国内公司轻易购买到高端光刻机来自主造芯。尽管ASML公司也是通过在全球各地采购相应精良的零部件来组成最终的光刻机,但是任何零部件都无法避开美国的核心技术,所以美国为了达到控制中国发展,不会让中国轻而易举买到光刻机。
要制作出一台精良的光刻机,要做很多的攻坚,不仅要达到美国光源、德国镜头的高层面,还有许许多多的精密仪器。中国光刻机任重道远!在这些精密仪器的背后,同样也需要更多的人才、研究技术、时间投入、技术的积累同样也需要大量的资金。相信中国也会克服这一困难,从此不再受他国制约。