光刻制程是什么意思（什么叫光刻技术）
光刻制程是什么意思（什么叫光刻技术）
光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺（图4.7）。在此之后，晶圆表面会留下带有℡☎联系：
图形
结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。
光刻工艺也被称为大家熟知的Photomasking, masking, photolithography, 或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件（parts）的关联正确。
光刻是所有四个基本工艺中最关键的。光刻确定了器件的关键尺寸。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。图形的错位也会导致类似的不良结果。光刻工艺中的另一个问题是缺陷。光刻是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的℡☎联系：小尺寸下完成。在制程中的污染物会造成缺陷。事实上由于光刻在晶圆生产过程中要完成5层至20层或更多，所以污染问题将会放大。
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.
Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；
在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
扩展资料：
光刻相关介绍：
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
在传统光学光刻技术逼近工艺极限的情况下，电子束光刻技术将有可能出现在与目前193i为代表的光学曝光技术及EUV技术相匹配的混合光刻中，在实现10nm级光刻中起重要的作用。
应该提到的是电子束曝光技术是推动℡☎联系：电子技术和℡☎联系：细加工技术进一步发展的关键技术，在℡☎联系：电子、℡☎联系：光学和℡☎联系：机械等℡☎联系：系统℡☎联系：细加工领域有着广泛的应用前景，而且除电子束直写光刻技术本身以外，几乎所有的新一代光刻技术所需要的掩模制作还是离不开电子束曝光技术。
参考资料来源：百度百科-光刻
参考资料来源：百度百科-光刻机
我来打个比方吧：比如说你看集成电路板，上面不是有一条一条金属线么？那个线不是画上去的，是整个刷一层铜到塑料板上，然后上面刷一层蜡，然后你用刀子把没有导线的部分的蜡“刻”下去，然后把这块板子扔到腐蚀液里，没有蜡覆盖的地方就会被腐蚀掉，然后你把它拿出来，集成电路板就做好了
做cpu（计算机的中央处理器，计算机的核心）的时候呢。也是这个样子，但是cpu里面的导线非常非常非常小，线间距是几十纳米级别的，小的已经没有任何物理的刀子可以取刻出导线来了，这个时候我们就用“光刻”了。因为光可以被分的很纤细的，光刻是在金属表面铺一层感光膜，然后用光去照它，被光照到的地方，感光膜就会被“烧掉”，然后这个时候你用一个“纸片”上面画着电路图，去挡一下光，这样就把电路该在的地方留下来了，然后扔到对应的液体里一泡，cpu里面的电路就做好了。
以上文字纯手打。看不明白可以再问我
